Mengikuti jejak langkah Samsung dan Micron, SK Hynix akan melancarkan cip memori 1bnm 32Gb DDR5 dalam tahun ini

Berita dari laman web ini pada 25 April, menurut media Korea NEWSIS, SK Hynix menyatakan dalam panggilan persidangan laporan kewangan suku pertama 2024 hari ini bahawa ia akan melancarkan zarah memori 1bnm 32Gb DDR5 dalam tahun ini.

Zarah 32Gb bermakna UDIMM dan SODIMM peringkat pengguna boleh mencapai kapasiti tunggal 64GB RDIMM peringkat perusahaan malah boleh mencapai 128GB dalam satu modul tanpa menggunakan tindanan 3D melalui-silikon melalui teknologi, memenuhi keperluan pelayan untuk memori yang besar keperluan .

SK Hynix mengumumkan pada Mei 2023 bahawa ia telah menyelesaikan pembangunan memori 1bnmnya. Proses ini menggunakan teknologi HKMG, yang boleh mengurangkan kebocoran, meningkatkan prestasi kapasitor, dan dengan itu mengurangkan penggunaan kuasa.

Merujuk kepada laporan terdahulu di laman web ini, kedua-dua Samsung Electronics dan Micron telah mengumumkan secara rasmi cip memori 32Gb DDR5. Antaranya, DRAM DDR5 32Gb Samsung memulakan pengeluaran besar-besaran pada akhir tahun lepas seperti yang dirancang, dan produk sepadan Micron juga akan dilancarkan tahun ini.

Atas ialah kandungan terperinci Mengikuti jejak langkah Samsung dan Micron, SK Hynix akan melancarkan cip memori 1bnm 32Gb DDR5 dalam tahun ini. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!