Rumah  >  Artikel  >  Tutorial Perkakasan  >  Sumber berkata Samsung Electronics akan mengeluarkan memori kilat V-NAND generasi ke-9 sejurus lewat bulan ini

Sumber berkata Samsung Electronics akan mengeluarkan memori kilat V-NAND generasi ke-9 sejurus lewat bulan ini

王林
王林ke hadapan
2024-04-12 13:50:271013semak imbas

Menurut berita dari laman web ini pada 12 April, menurut media Korea Hankyung, Samsung akan mencapai pengeluaran besar-besaran memori flash V-NAND generasi ke-9 sejurus akhir bulan ini.

Eksekutif Samsung Jung-Bae Lee berkata pada Oktober tahun lalu bahawa memori denyar NAND generasi akan datang akan dihasilkan secara besar-besaran "awal tahun ini" dan akan mempunyai bilangan lapisan tindanan yang terkemuka dalam industri.

Samsung keluaran besar-besaran 236-lapisan V-NAND generasi ke-8 pada November 2022, yang bermaksud jurang antara kedua-dua generasi adalah kira-kira satu setengah tahun.

消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存

▲Memori denyar V-NAND generasi ke-8 Samsung

Hankyung berkata bahawa bilangan lapisan tindanan memori denyar V-NAND generasi ke-9 ialah 290, tetapi laporan awal di laman web ini menyebut bahawa Samsung telah menunjukkannya pada persidangan akademik Ia menggunakan memori kilat QLC bertindan 280 lapisan, dan kadar antara muka IO bagi memori denyar ini mencapai 3.2GB/s.

Samsung akan terus menggunakan struktur timbunan kilat dwi pada V-NAND generasi ke-9 untuk mencapai proses yang lebih mudah dan kos pembuatan yang lebih rendah. Samsung akan bertukar kepada struktur tiga tindanan untuk memori denyar V-NAND generasi ke-10 yang dijangka akan dilancarkan tahun depan.

Struktur baharu ini akan meningkatkan lagi bilangan maksimum lapisan tindanan memori denyar 3D yang mungkin, tetapi ia juga akan memperkenalkan lebih kerumitan dalam penjajaran tindanan yang akan menggunakan struktur ini untuk memori denyar NAND 321 lapisan yang dihasilkan secara besar-besaran tahun depan. .

Pemerhati industri semikonduktor TechInsights berkata memori denyar V-NAND generasi ke-10 Samsung dijangka mencapai 430 lapisan, meningkatkan lagi kelebihan susunan.

Atas ialah kandungan terperinci Sumber berkata Samsung Electronics akan mengeluarkan memori kilat V-NAND generasi ke-9 sejurus lewat bulan ini. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan:
Artikel ini dikembalikan pada:ithome.com. Jika ada pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn Padam