Samsung mengeluarkan HBM3E DRAM generasi akan datang, Shinebolt menerajui inovasi pusat data AI

Berita pada 21 Oktober, Samsung membuat penampilan hebat di acara Hari Teknologi Penyimpanan hari ini dan mengeluarkan satu siri produk baharu, termasuk HBM3E generasi akan datang DRAM, dinamakan "Shinebolt", direka untuk memenuhi keperluan aplikasi pusat data AI generasi akan datang.

Menurut pemahaman editor, Samsung berkata bahawa DRAM HBM3E "Shinebolt" mempunyai kelajuan sehingga 9.8Gbps setiap pin, yang akan membawa 1.2 yang menakjubkan Dengan kadar pemindahan TBps, teknologi terobosan ini dijangka mengurangkan jumlah kos pemilikan (TCO) pusat data dan meningkatkan kecekapan latihan model AI dan tugas inferens dengan ketara.

Untuk mencapai lebih banyak susunan lapisan dan meningkatkan prestasi pelesapan haba, Samsung juga telah mengoptimumkan teknologi filem tidak konduktif (NCF), yang akan mengurangkan jurang antara lapisan cip dan memaksimumkan kekonduksian terma .

Selain "Shinebolt", Samsung juga mengumumkan secara langsung bahawa 8H dan 12Hnya Produk HBM3 kini dalam pengeluaran besar-besaran, dan sampel "Shinebolt" telah mula dihantar kepada pelanggan. Sebagai penyedia penyelesaian komprehensif dalam bidang semikonduktor, Samsung merancang untuk menyediakan pelanggan dengan perkhidmatan sehenti tersuai yang menggabungkan HBM generasi akan datang, teknologi pembungkusan termaju dan produk faundri secara organik.

Pada acara ini, Samsung turut memperkenalkan beberapa produk baharu lain, termasuk DRAM DDR5 32Gb dengan kapasiti tertinggi dalam industri, dan 32Gbps pertama dalam industri GDDR7. Selain itu, mereka juga memperkenalkan PBSSD peringkat petabyte, yang meningkatkan keupayaan storan aplikasi pelayan dengan ketara dan menyediakan sokongan yang lebih berkuasa untuk pusat data.

Atas ialah kandungan terperinci Samsung mengeluarkan HBM3E DRAM generasi akan datang, Shinebolt menerajui inovasi pusat data AI. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!