Tajuk baharu: Mendedahkan spesifikasi memori LPCAMM Samsung: tidak serasi dengan CAMM tradisional, reka bentuk dalaman yang unik didedahkan

Berita 27 September, Samsung Electronics mengumumkan semalam bahawa ia telah berjaya membangunkan modul memori tambahan mampat kuasa rendah (LPCAMM) baharu 7.5Gbps. Spesifikasi inovatif ini menandakan kejayaan besar dalam teknologi memori masa hadapan. Modul ini menggabungkan ciri-ciri saiz padat dan boleh tanggal dan dijangka dikomersialkan pada 2024.

Dilaporkan bahawa memori LPCAMM ialah inovasi teknologi yang dipertingkatkan oleh Samsung berdasarkan memori LPDDR. Walaupun nama yang serupa dengan CAMM, mereka sebenarnya tidak serasi secara fizikal dan elektrik. Reka bentuk unik modul memori ini ialah ia membungkus secara terus empat zarah memori LPDDR5X 32-bit pada penyambung mampatan, membolehkan penggunaan bas memori 128-bit. Ia boleh dilihat dari rajah pad bahawa kenalan memori LPCAMM terletak di belakang papan PCB, sangat dekat dengan zarah memori, dengan itu memendekkan jarak penghantaran isyarat.

Saiz memori LPCAMM ialah 78mm x 23mm, sebagai tambahan kepada pakej DRAM itu sendiri, ia juga termasuk SPD dan IC pengurusan kuasa (PMIC). Sama seperti piawaian CAMM, ia membenarkan modul menyediakan fungsi pengawalan voltan dan pengenalannya sendiri. Pada mulanya, Samsung merancang untuk melancarkan versi 32GB, 64GB dan 128GB memori LPCAMM, menyokong kadar data LPDDR5X-7500. Walau bagaimanapun, memandangkan pada masa ini tiada 256Gbit Cip memori LPDDR5X, untuk mencapai memori 128GB tunggal, anda perlu sama ada memasang 8 cip pada LPCAMM atau meningkatkan saiz keseluruhan modul memori.

Menurut pemahaman editor, Samsung telah berjaya menyelesaikan pengesahan sistem pada platform Intel dan merancang untuk menjalankan ujian LPCAMM dengan pelanggan utama, termasuk Intel, pada tahun 2023. Di samping itu, mereka bekerjasama dengan rakan kongsi untuk membangunkan piawaian JEDEC untuk LPCAMM bagi menggalakkan penyeragaman teknologi ini. Pada masa yang sama, JEDEC juga sedang giat mengembangkan standard CAMM untuk meliputi memori LPDDR dan melaksanakan piawaian penyambung yang sama seperti DDR5 dan LPDDR5, membuka jalan untuk pembangunan teknologi memori masa hadapan. Siri inovasi ini dijangka meningkatkan prestasi memori dan kecekapan peranti mudah alih dan komputer, membawa kemungkinan baharu untuk pembangunan teknologi masa hadapan.

Atas ialah kandungan terperinci Tajuk baharu: Mendedahkan spesifikasi memori LPCAMM Samsung: tidak serasi dengan CAMM tradisional, reka bentuk dalaman yang unik didedahkan. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!