Rumah  >  Artikel  >  Peranti teknologi  >  Kelahiran teknologi memori generasi baharu: Samsung membangunkan DRAM DDR5 32Gb, menggandakan kapasiti

Kelahiran teknologi memori generasi baharu: Samsung membangunkan DRAM DDR5 32Gb, menggandakan kapasiti

王林
王林ke hadapan
2023-09-11 18:57:02770semak imbas

Menurut berita pada 1 September, Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahawa ia telah membuat satu kejayaan besar dan berjaya membangunkan 32Gb DDR5 berdasarkan teknologi proses 12 nanometer (nm). Modul memori DRAM telah menyuntik tenaga baharu ke dalam bidang pemprosesan dan penyimpanan data masa hadapan. Teknologi terobosan ini dijangka dapat memenuhi permintaan yang semakin meningkat untuk memori DRAM berkapasiti tinggi dalam aplikasi kecerdasan buatan dan data besar.

Pelancaran modul memori DRAM DDR5 32Gb baharu ini bukan sahaja bermakna peningkatan kapasiti yang ketara, tetapi juga menjadikan penggunaan tenaga lebih cekap. Melalui zarah memori 32Gb yang baru dibangunkan, modul memori 128GB boleh dihasilkan walaupun tanpa menggunakan proses melalui silikon melalui (TSV). Berbanding dengan modul memori 128GB sebelumnya berdasarkan zarah memori 16Gb, penggunaan kuasa produk baharu telah dikurangkan sebanyak kira-kira 10%. Kemajuan teknologi ini telah menjadikan modul memori baharu sebagai penyelesaian pilihan untuk perusahaan yang sangat mementingkan kecekapan tenaga, seperti pusat data SangJoon Hwang, naib presiden eksekutif Kumpulan Pembangunan Memori Bahagian Memori, berkata berdasarkan 12-. modul memori DRAM 32Gb DDR5 nanometer, Samsung akan terus mengembangkan barisan produk memori berkapasiti besarnya untuk memenuhi keperluan yang semakin meningkat bagi industri pengkomputeran dan IT berprestasi tinggi. Samsung akan menggunakan teknologi ini sebagai asas untuk menyediakan penyelesaian memori 32Gb kelas 12nm yang lebih berkuasa kepada pelanggan dalam bidang seperti pusat data, kecerdasan buatan dan pengkomputeran generasi akan datang, seterusnya mengukuhkan kedudukan utamanya dalam pasaran memori masa depan

# 🎜🎜#Inovatif 12nm 32Gb DDR5 ini Modul memori DRAM dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran menjelang akhir tahun ini, membawa potensi dan peluang pembangunan yang lebih besar kepada industri. Samsung Electronics akan terus bekerjasama rapat dengan rakan kongsi industri teras yang lain untuk bersama-sama mempromosikan pembangunan inovasi teknologi dan menyediakan sokongan padu untuk keperluan era digital.

Atas ialah kandungan terperinci Kelahiran teknologi memori generasi baharu: Samsung membangunkan DRAM DDR5 32Gb, menggandakan kapasiti. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan:
Artikel ini dikembalikan pada:itbear.com. Jika ada pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn Padam