SK Hynix mengeluarkan berita besar: Memori denyar NAND 4D 238 lapisan dihasilkan secara besar-besaran dan ujian telefon mudah alih menunjukkan bahawa kelajuan meningkat sebanyak 50%

Menurut berita pada 8 Jun, pengeluar memori Korea Selatan SK Hynix mengumumkan hari ini bahawa mereka telah memulakan pengeluaran besar-besaran 238 lapisan 4D Cip memori kilat NAND. Dilaporkan bahawa SK hynix sedang menjalankan pengesahan produk dengan pengeluar telefon pintar luar negara.

SK hynix menyatakan bahawa mereka telah berjaya membangunkan SSD pelanggan (Pelanggan) untuk telefon pintar dan komputer peribadi (PC). SSD) dan memulakan pengeluaran besar-besaran pada bulan Mei. Sama ada dalam produk 176 lapisan atau 238 lapisan, SK hynix telah memastikan daya saing yang terkemuka di dunia dari segi kos, prestasi dan kualiti. Menurut pemahaman editor, cip memori flash NAND 238 lapisan kini merupakan salah satu cip terkecil di dunia Berbanding dengan generasi cip 176 lapisan sebelumnya, kecekapan pengeluarannya telah meningkat sebanyak 34%. Kelajuan penghantaran data produk baharu ini mencecah 2.4Gb (gigabit) sesaat, iaitu 50% lebih pantas daripada generasi sebelumnya, dan prestasi baca dan tulis juga telah dipertingkatkan sebanyak kira-kira 20%.

SK Hynix berkata bahawa selepas melengkapkan pengesahan produk dengan pengeluar telefon pintar, mereka akan terlebih dahulu membekalkan memori kilat NAND 238 lapisan kepada cip pasaran peranti mudah alih, dan seterusnya mengembangkan skop aplikasi mereka untuk memasukkan berasaskan PCIe 5.0 PC pemacu keadaan pepejal (SSD) dan produk SSD berkapasiti tinggi peringkat pusat data.

SK Hynix memperkenalkan teknologi 4D pada 2018, di mana memori kilat NAND 96 lapisan menggunakan teknologi perangkap cas (CTF) dan PUC (Peri. Under teknologi sel). Mengikut pemahaman editor, berbanding dengan teknologi 3D, seni bina 4D mempunyai kelebihan kawasan unit yang lebih kecil dan kecekapan pengeluaran yang lebih tinggi. SK hynix menjangkakan produk baharu ini memainkan peranan positif dalam mempromosikan prestasi syarikat pada separuh kedua tahun ini.

Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix mengeluarkan berita besar: Memori denyar NAND 4D 238 lapisan dihasilkan secara besar-besaran dan ujian telefon mudah alih menunjukkan bahawa kelajuan meningkat sebanyak 50%. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!