Rumah >Tutorial Perkakasan >Berita Perkakasan >ASUS mengeluarkan teknologi slot memori DRAM NitroPath, kekerapan boleh ditingkatkan sehingga 400MT/s

ASUS mengeluarkan teknologi slot memori DRAM NitroPath, kekerapan boleh ditingkatkan sehingga 400MT/s

PHPz
PHPzasal
2024-08-21 13:37:021215semak imbas

Tapak ini melaporkan pada 21 Ogos bahawa dengan keluaran papan induk ROG dan ROG Strix X870 (E), ASUS turut melancarkan teknologi DRAM NitroPath. Teknologi ini menyediakan prestasi memori yang lebih berkuasa untuk papan induk memori DDR5 mewah.

华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s

Asus berkata teknologi NitroPath DRAM meningkatkan kelajuan memori melalui reka letak dan penghalaan uniknya. Reka bentuk canggih ini mengurangkan gangguan bunyi dengan memendekkan pin jari emas dan mengoptimumkan laluan isyarat dalam papan induk.

Penghantaran isyarat yang lebih lancar dengan kurang hingar dan pantulan bermakna pengguna boleh mencapai frekuensi memori yang lebih tinggi pada papan induk menggunakan NitroPath DRAM, sehingga 400MT/s tambahan. Di samping itu, reka bentuk ini meningkatkan kestabilan sistem walaupun di bawah beban yang teruk.

Bukan itu sahaja, NitroPath DRAM juga meningkatkan ketegasan slot, menjadikan slot memori lebih tahan terhadap daya dan pengekalan sisi, dan lebih tahan haus dan lusuh disebabkan oleh proses pemasangan memori Ini berguna untuk peminat yang memerlukan menaik taraf atau menggantikan modul memori mempunyai nilai yang jelas.

华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s

Laman ini telah mengetahui bahawa ASUS adalah yang pertama memperkenalkan teknologi NitroPath DRAM pada dua papan induk, ROG Crosshair X870E Hero dan ROG Strix X870E-E Gaming WiFi.

Atas ialah kandungan terperinci ASUS mengeluarkan teknologi slot memori DRAM NitroPath, kekerapan boleh ditingkatkan sehingga 400MT/s. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan:
Kandungan artikel ini disumbangkan secara sukarela oleh netizen, dan hak cipta adalah milik pengarang asal. Laman web ini tidak memikul tanggungjawab undang-undang yang sepadan. Jika anda menemui sebarang kandungan yang disyaki plagiarisme atau pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn