Cip HBM3E 8 lapisan Samsung mengatasi halangan haba dan kuasa untuk mendapatkan kelulusan Nvidia

Samsung Electronics telah berjaya melepasi ujian ketat Nvidia untuk cip memori HBM3E 8 lapisan, meletakkan dirinya sebagai pembekal utama untuk industri cip AI yang berkembang pesat. HBM, atau Memori Lebar Jalur Tinggi, ialah jenis DRAM khusus yang direka untuk mengendalikan sejumlah besar data pada kelajuan kilat. Ia adalah komponen penting untuk menjanakan pengiraan kompleks yang diperlukan untuk aplikasi kecerdasan buatan. HBM3E, lelaran terkini, menawarkan prestasi dan kecekapan tenaga yang lebih tinggi daripada HBM3.

Mendapatkan kelulusan Nvidia merupakan halangan bagi Samsung, yang sebelum ini menghadapi cabaran berkaitan penggunaan haba dan kuasa dalam cip HBMnya. Syarikat itu telah menangani isu ini untuk memenuhi piawaian Nvidia, kerana aplikasi AI menjadi lebih menuntut. Samsung, bersama-sama dengan syarikat seperti SK Hynix dan Micron, berlumba-lumba untuk memenuhi permintaan ini.

Sementara cip HBM3E 12 lapisan Samsung masih dalam penilaian, kelulusan versi 8 lapisan adalah satu langkah ke hadapan untuk syarikat tanpa mengira. Nvidia juga baru-baru ini membersihkan cip memori lebar jalur tinggi generasi keempat Samsung, HBM3, buat kali pertama. Walau bagaimanapun, Reuters sebelum ini menyatakan bahawa cip itu mungkin hanya digunakan dalam kad grafik Nvidia khusus China.

Atas ialah kandungan terperinci Cip HBM3E 8 lapisan Samsung mengatasi halangan haba dan kuasa untuk mendapatkan kelulusan Nvidia. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!