TechInsights: 3D, 4F2 dan memori DRAM struktur baharu yang lain dijangka dihasilkan secara besar-besaran pada nod 0C

Berita dari laman web ini pada 26 Julai, menurut media Korea The Elec, Dr Choi Jeong-dong dari agensi analisis TechInsights berkata bahawa memori DRAM menggunakan struktur inovatif seperti 3D, 4F2, VCT (transistor saluran menegak) dijangka mencapai nod 0C nm Mencapai pengeluaran besar-besaran.

0C nm ialah nod generasi ke-3 10nm ke bawah. Pada masa ini, proses paling maju bagi tiga pengeluar DRAM utama ialah 1b (1β) nm, iaitu nod 20~10nm generasi ke-6.

Choi percaya bahawa selepas generasi 1c nm yang akan datang, industri memori DRAM juga akan mengalami nod 1d nm sebelum mengecilkan proses nominal ke bawah 10nm.

Empat hingga lima tahun lalu, sesetengah orang dalam industri percaya bahawa memori DRAM menggunakan struktur baharu akan tersedia dalam generasi 1d~0a nm.

Tetapi nampaknya DRAM 3D, DRAM 4F2 dan teknologi lain masih belum matang Walaupun keadaan berjalan lancar, pengeluaran besar-besaran perlu menunggu sehingga sekurang-kurangnya 0b nm. Mengambil DRAM 3D sebagai contoh, sampel memori dengan tindanan 8 dan 12 lapisan masih diuji, dan masih jauh lagi sebelum matlamat tindanan 60 dan 90 lapisan.

▲Pelan jalan DRAM 3D yang sebelum ini dipaparkan oleh Samsung Electronics

Choi berkata sehingga proses 1b nm, proses HKMG (nota tapak ini: pemalar dielektrik tinggi (bahan)/pintu logam) yang boleh mengurangkan arus bocor adalah masih tersedia Ia hanya digunakan dalam beberapa produk GDDR, DDR5, dan LPDDR

Dan dengan nod 1c nm, proses HKMG akan digunakan secara meluas dalam semua jenis produk oleh Samsung Electronics dan SK Hynix.

Bagi produk DRAM sedia ada, 1b nm akan mengambil alih tajuk proses dengan jumlah penghantaran tertinggi dari 1a nm bermula dari suku ketiga

Antara DRAM 1b nm, produk Samsung Electronics mempunyai saiz terkecil, dan Large dan Micron SK Hynix yang lebih kecil sedikit adalah yang terbesar, tetapi perbezaannya tidak ketara.

Atas ialah kandungan terperinci TechInsights: 3D, 4F2 dan memori DRAM struktur baharu yang lain dijangka dihasilkan secara besar-besaran pada nod 0C. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!