Samsung Electronics akan mengeluarkan modul memori 256GB CXL 2.0 secara besar-besaran menjelang akhir 2024, berdasarkan DRAM 1y nm

Tapak ini melaporkan pada 18 Julai bahawa menurut media Korea ZDNet Korea, Choi Jang Seok, ketua pasukan perancangan perniagaan baharu jabatan ingatan Samsung Electronics, berkata hari ini bahawa Samsung akan memulakan pengeluaran besar-besaran 256GB CMM-D 2.0 yang mematuhi protokol CXL 2.0 menjelang akhir tahun ini.

Modul memori ini akan dilengkapi dengan zarah memori DRAM proses 1y nm (generasi kedua 10+ nm) yang lebih matang, mengambil kesempatan daripada keperluan prestasi modul memori CXL yang lebih rendah untuk zarah DRAM. Samsung Electronics juga akan melancarkan versi dengan zarah yang lebih maju pada masa hadapan.

▲Modul CMM-D Samsung Electronics

Selain CMM-D, Samsung Electronics turut merancang pelbagai jenis produk storan CXL, termasuk modul kotak memori CMM-B yang dilengkapi dengan berbilang modul CMM-D , CMM-H modul storan hibrid dilengkapi dengan kedua-dua memori DRAM dan zarah memori kilat NAND.

ChoiJang Seok menyebut bahawa Samsung Electronics sedang menyelidik secara dalaman satu lagi jenis produk yang dipanggil CMM-DC, yang juga mempunyai keupayaan pengkomputeran berdasarkan CMM-D.

Melihat masa depan, ChoiJang Seok berkata: "Apabila teknologi CXL 3.1 dan pengumpulan (Nota dari laman web ini: sumber memori CXL boleh dikongsi di kalangan berbilang hos) disokong, pasaran CXL akan berkembang sepenuhnya sekitar 2028

Atas ialah kandungan terperinci Samsung Electronics akan mengeluarkan modul memori 256GB CXL 2.0 secara besar-besaran menjelang akhir 2024, berdasarkan DRAM 1y nm. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!