Rumah  >  Artikel  >  Peranti teknologi  >  Kementerian Perindustrian dan Teknologi Maklumat merancang untuk menjelaskan lagi keperluan penggunaan kuasa untuk projek pembuatan fotovoltaik dan membimbing syarikat untuk mengurangkan projek yang hanya mengembangkan kapasiti pengeluaran.

Kementerian Perindustrian dan Teknologi Maklumat merancang untuk menjelaskan lagi keperluan penggunaan kuasa untuk projek pembuatan fotovoltaik dan membimbing syarikat untuk mengurangkan projek yang hanya mengembangkan kapasiti pengeluaran.

王林
王林asal
2024-07-11 12:39:191182semak imbas

Menurut berita dari laman web ini pada 9 Julai, Kementerian Perindustrian dan Teknologi Maklumat mengeluarkan pengumuman hari ini untuk meminta pendapat secara terbuka mengenai "Syarat Standard Industri Pembuatan Fotovoltaik (Edisi 2024)" dan "Langkah Pengurusan Pengumuman Standard Industri Pembuatan Fotovoltaik (2024). Edisi)" (Draf untuk Ulasan).

Kementerian Perindustrian dan Teknologi Maklumat merancang untuk menjelaskan lagi keperluan penggunaan kuasa untuk projek pembuatan fotovoltaik dan membimbing syarikat untuk mengurangkan projek yang hanya mengembangkan kapasiti pengeluaran.

"Standardized Conditions for the Photovoltaic Manufacturing Industry (2024 Edition)" (Draf untuk Komen) menyebut bahawa

1 Membimbing syarikat fotovolta untuk mengurangkan projek pembuatan fotovoltan yang sekadar mengembangkan kapasiti pengeluaran, memperkukuh inovasi kualiti produk. , mengurangkan kos pembuatan. Bagi pembinaan baharu, pengubahsuaian dan pembesaran projek pembuatan fotovoltaik, nisbah modal minimum ialah 30%.

2 Penggunaan kuasa projek pembuatan fotovoltaik harus memenuhi keperluan berikut:

  • Penggunaan kuasa yang dipulihkan bagi projek polysilicon sedia ada adalah kurang daripada 46 kWj/kg, dan penggunaan kuasa komprehensif adalah kurang daripada 60 kWj/kg. ; penggunaan kuasa yang dipulihkan bagi projek pembinaan dan pengubahsuaian dan pembesaran baharu Penggunaan kuasa adalah kurang daripada 44 kWj/kg, dan penggunaan kuasa komprehensif adalah kurang daripada 57 kWj/kg.
  • Purata penggunaan kuasa komprehensif projek jongkong silikon sedia ada adalah kurang daripada 7.5 kWj/kg, dan projek pembinaan, pengubahsuaian dan pembesaran baharu adalah kurang daripada 6.5 kWj/kg jika relau jongkong polihablur digunakan untuk menghasilkan kristal separa tunggal atau produk polihablur berkecekapan tinggi, purata penggunaan kuasa komprehensif projek Peningkatan penggunaan kuasa tidak boleh melebihi 0.5 kWj/kg.
  • Purata penggunaan kuasa komprehensif bagi projek jongkong silikon sedia ada adalah kurang daripada 26 kWj/kg, dan bagi projek pembinaan, pengubahsuaian dan pembesaran baharu adalah kurang daripada 23 kWj/kg.
  • Purata penggunaan kuasa komprehensif bagi projek wafer silikon polihabluran sedia ada adalah kurang daripada 250,000 kWj/juta keping, dan bagi projek pembinaan dan pembesaran baharu adalah kurang daripada 200,000 kWj/juta keping purata penggunaan kuasa komprehensif bagi projek wafer silikon monohablur sedia ada adalah kurang daripada 100,000 kWj/juta keping, pembinaan baru dan projek pengubahsuaian dan pembesaran kurang daripada 80,000 kWj/juta keping.
  • Purata penggunaan kuasa komprehensif bagi projek bateri silikon kristal jenis P adalah kurang daripada 50,000 kWj/MWp, dan purata penggunaan kuasa komprehensif bagi projek bateri silikon kristal jenis-N adalah kurang daripada 70,000 kWj/MWp.
  • Purata penggunaan kuasa komprehensif projek modul silikon kristal adalah kurang daripada 25,000 kilowatt jam/MWp, dan purata penggunaan kuasa projek modul filem nipis adalah kurang daripada 400,000 kilowatt jam/MWp.

3 Produk perusahaan dan projek yang baru dibina, diubah suai dan diperluaskan hendaklah memenuhi keperluan berikut:

  • Polysilicon memenuhi keperluan Gred 3 atau ke atas "Electronic Grade Polysilicon" (GB/T12963) atau " Keperluan Fluidized Bed Granular Silicon" ( GB/T35307) untuk produk premium.
  • Hayat pembawa minoriti wafer silikon polihablur (termasuk wafer silikon kuasi-monohablur) tidak kurang daripada 2.5μs, dan kandungan karbon dan oksigen masing-masing kurang daripada 6ppma dan 8ppma jangka hayat pembawa minoriti wafer silikon monohabluran adalah tidak kurang daripada 90μs, dan hayat pembawa minoriti wafer silikon monohabluran jenis N adalah tidak kurang daripada 90μs Jangka hayat tidak kurang daripada 1000μs, dan kandungan karbon dan oksigen masing-masing kurang daripada 1ppma dan 12ppma Antaranya, minoriti hayat pembawa wafer silikon monohablur jenis N untuk bateri heterojunction tidak kurang daripada 700μs, dan kandungan karbon dan oksigen masing-masing kurang daripada 1ppma dan 14ppma.
  • Purata kecekapan penukaran fotoelektrik sel silikon polihablur, sel silikon monohablur jenis P dan sel silikon monohablur jenis-N (sel dwimuka dikira berdasarkan kecekapan bahagian hadapan) masing-masing tidak kurang daripada 21.7%, 23.7% dan 26%. .
  • Purata kecekapan penukaran fotoelektrik modul silikon polihablur, modul silikon monohablur jenis P dan modul silikon monohablur jenis-N (modul dwimuka dikira berdasarkan kecekapan bahagian hadapan) masing-masing tidak kurang daripada 19.7%, 21.8% dan 23.1%. . Purata kecekapan penukaran fotoelektrik CIGS, CdTe dan komponen filem nipis lain masing-masing tidak kurang daripada 16%, 16.5% dan 15%.

Atas ialah kandungan terperinci Kementerian Perindustrian dan Teknologi Maklumat merancang untuk menjelaskan lagi keperluan penggunaan kuasa untuk projek pembuatan fotovoltaik dan membimbing syarikat untuk mengurangkan projek yang hanya mengembangkan kapasiti pengeluaran.. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!

Kenyataan:
Kandungan artikel ini disumbangkan secara sukarela oleh netizen, dan hak cipta adalah milik pengarang asal. Laman web ini tidak memikul tanggungjawab undang-undang yang sepadan. Jika anda menemui sebarang kandungan yang disyaki plagiarisme atau pelanggaran, sila hubungi admin@php.cn