드라마는 메모리스틱인가요?

드램은 메모리스틱이다. DRAM은 중국어로 "동적 랜덤 액세스 메모리(Dynamic Random Access Memory)"를 의미합니다. 주요 특징 중 하나는 전원이 차단되면 데이터가 손실된다는 것입니다. 이는 일반적으로 메모리라고 불리는 것입니다. DRAM은 밀도가 매우 높고 단위 부피당 용량이 높기 때문에 비용이 저렴하지만 액세스 속도가 느리고 전력 소비가 높다는 단점도 있습니다.

이 튜토리얼의 운영 환경: Windows 7 시스템, Dell G3 컴퓨터.

드램은 메모리스틱이에요.

메모리스틱 개요

　메모리스틱은 CPU와 기타 장치를 연결하는 채널로, 버퍼링과 데이터 교환 역할을 합니다. CPU가 작동할 때는 하드디스크 등 외부 메모리에서 데이터를 읽어야 하는데, 하드디스크의 '창고'가 너무 크고 CPU에서 멀리 떨어져 있기 때문에 '원재료' 데이터를 전송하는 속도가 느리다. 이 문제를 해결하기 위해 사람들은 CPU와 외부 메모리 사이에 메모리인 "작은 창고"를 만들었습니다.

메모리 스틱의 역할

　메모리는 컴퓨터의 주요 구성 요소로 외장 메모리와 관련이 있습니다. Windows 7 시스템, 타이핑 소프트웨어, 게임 소프트웨어 등 우리가 일반적으로 사용하는 프로그램은 일반적으로 하드 디스크와 같은 외부 메모리에 설치되지만, 이것만으로 그 기능을 사용할 수는 없습니다. 실행 기능을 사용하여 우리는 일반적으로 텍스트를 입력하거나 실제로 메모리에서 수행되는 게임을 합니다. 일반적으로 우리는 영구적으로 저장하고 싶은 많은 양의 데이터를 외부 메모리에 저장하고, 임시 또는 소량의 데이터와 프로그램을 메모리에 저장합니다.

메모리 스틱의 분류

메모리는 DRAM과 ROM의 두 가지 유형으로 구분됩니다. 전자는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)라고도 하며 정전 후 데이터가 손실된다는 것입니다. 후자는 읽기 전용 메모리라고도 합니다. 컴퓨터를 켰을 때 가장 먼저 시작하는 것은 마더보드의 ROM에 저장된 BIOS 프로그램이고, 그 다음에는 하드 디스크에서 Windows를 호출합니다. ROM의 주요 특징 중 하나는 정전 후에도 데이터가 손실되지 않는다는 것입니다.

메모리스틱의 핀 수에 따라 메모리스틱을 30줄, 72줄, 168줄 등으로 나눌 수 있습니다. 30라인 및 72라인 메모리 모듈은 SIMM(싱글 랭크 메모리 모듈)이라고도 합니다. (SIMM은 동일한 신호를 제공하는 양쪽에 골드 핑거가 있는 메모리 구조입니다.) 168라인 메모리 모듈은 듀얼 랭크라고도 합니다. 메모리 모듈 DIMM. 현재 30라인 메모리 모듈은 더 이상 사용할 수 없습니다. 지난 몇 년 동안 인기 있는 제품은 72라인 메모리 모듈이었으며 용량은 일반적으로 현재 주류 제품인 4MB, 8MB, 16MB 및 32MB입니다. 시중에는 168라인 메모리가 있습니다. 168라인 메모리 스틱은 일반적으로 16MB, 32MB, 64MB, 128MB 등의 용량을 가지고 있습니다. 일반 컴퓨터는 하나만 꽂으면 괜찮습니다. 하지만 VX 기반의 마더보드만, TX 및 BX 칩셋은 168라인의 메모리를 지원합니다.

메모리의 작동 모드에 따라 메모리는 FPA EDO DRAM과 SDRAM(동기식 동적 RAM)으로 나눌 수 있습니다.

• FPM (FAST PAGE MODE) RAM

  Fast Page Mode Random Access Memory: 이전 컴퓨터 시스템에서 일반적으로 사용되는 메모리로 3클럭 펄스 주기마다 데이터를 전송합니다.

• EDO(EXTENDED DATA OUT) RAM

  확장 데이터 출력 랜덤 액세스 메모리: EDO 메모리는 마더보드와 메모리의 두 저장 주기 사이의 시간 간격을 취소하여 두 클럭 펄스 주기마다 데이터를 출력합니다. 시간이 대폭 단축되고, 저장 속도가 30% 증가합니다. EDO는 일반적으로 72핀이며 EDO 메모리는 SDRAM으로 대체되었습니다.

• S(SYSNECRONOUS)DRAM

  동기식 동적 랜덤 액세스 메모리: SDRAM은 168핀으로 현재 PENTIUM 이상 모델에서 사용되는 메모리입니다. SDRAM은 동일한 클록을 통해 CPU와 RAM을 함께 잠그므로 CPU와 RAM이 클록 주기를 공유하고 동일한 속도로 동기적으로 작동할 수 있습니다. 이는 각 클록 펄스의 상승 에지에서 전송되기 시작합니다. 이는 SDRAM보다 50% 빠릅니다. 에도 메모리.

• DDR(DOUBLE DATA RAGE) RAM

  SDRAM의 업데이트 제품으로, 클럭 펄스의 상승 및 하강 에지에서 데이터를 전송할 수 있으므로 클럭 주파수를 높이지 않고도 SDRAM의 속도를 두 배로 늘릴 수 있습니다. .

• RDRAM(RAMBUS DRAM)

  메모리 버스형 동적 랜덤 액세스 메모리. RDRAM은 시스템 대역폭과 칩-투-칩 인터페이스 설계를 갖춘 RAMBUS사가 개발한 새로운 유형의 DRAM으로 매우 높은 주파수 범위에서 간단한 버스를 통해 데이터를 전송할 수 있습니다. 또한 저전압 신호를 사용하여 고속 동기화 클록 펄스의 양쪽 가장자리에서 데이터를 전송합니다. INTEL은 자사의 820 칩셋 제품에 RDRAM 지원을 추가할 예정입니다.

DRAM(동적 랜덤 액세스 메모리)

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 가장 일반적으로 사용되는 컴퓨터 메모리 유형입니다. 일반적으로 비트를 표현하기 위해 트랜지스터와 커패시터를 사용합니다. ROM 및 PROM과 같은 펌웨어 메모리와 달리 두 가지 주요 유형의 랜덤 액세스 메모리(동적 및 정적)는 전원이 꺼지면 저장된 데이터를 잃게 됩니다.

DRAM은 반도체 메모리입니다. 주요 작동 원리는 커패시터에 저장된 전하량을 사용하여 이진수 비트(비트)가 1인지 0인지를 나타내는 것입니다. 실제로 트랜지스터에는 누설 전류가 있기 때문에 커패시터에 저장된 전하량이 데이터를 정확하게 식별하기에 충분하지 않아 데이터가 손상될 수 있습니다. 따라서 주기적인 충전은 DRAM에 있어서 피할 수 없는 요구사항입니다. 주기적으로 새로 고쳐야 하는 이러한 특성 때문에 이를 "동적" 메모리라고 합니다. 상대적으로 말하면 정적 메모리(SRAM)에 데이터가 저장되어 있는 한, 새로 고치지 않아도 메모리는 손실되지 않습니다.

SRAM과 비교할 때 DRAM의 장점은 구조가 간단하다는 것입니다. 일반적으로 비트당 6개의 트랜지스터가 필요한 SRAM에 비해 각 데이터 비트에는 하나의 커패시터와 하나의 트랜지스터만 있으면 처리할 수 있습니다. 이러한 이유로 DRAM은 밀도가 매우 높고, 단위 부피당 용량이 높기 때문에 가격이 저렴합니다. 하지만 반대로 DRAM은 액세스 속도가 느리고 전력 소모가 크다는 단점도 가지고 있습니다.

대부분의 RAM(Random Access Memory)과 마찬가지로 DRAM에 저장된 데이터는 전원이 꺼지면 곧 사라지기 때문에 휘발성 메모리 장치입니다.

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