프로그램과 데이터는 "바이너리 코드" 형식으로 메모리에 저장되며, 저장 위치는 주소에 따라 결정됩니다. 메모리에 저장 단위를 모으는 캐리어를 메모리 뱅크라고 합니다. 메모리 뱅크의 각 단위는 이진 코드 문자열로 표시되는 정보를 저장할 수 있습니다. 이 정보의 총 비트 수를 저장 단위의 워드 길이라고 합니다.
데이터와 프로그램은 바이너리 코드 형태로 메모리에 저장되며, 주소에 따라 저장 위치가 결정됩니다.
메모리는 유닛 번호 순으로 배열된 수많은 저장 유닛의 집합체입니다. 각 단위는 저장 단위에 저장된 값을 표현하기 위해 다수의 3진수 비트로 구성됩니다. 이 구조는 배열의 구조와 매우 유사하므로 VHDL 언어에서는 일반적으로 배열을 사용하여 메모리를 설명합니다.
메모리는 프로그램과 다양한 데이터 정보를 저장하는 데 사용되는 메모리 구성 요소입니다. 메모리는 주 메모리(주 메모리 또는 메모리라고 함)와 보조 메모리(보조 메모리 또는 외부 메모리라고 함)의 두 가지 범주로 나눌 수 있습니다. CPU와 직접적으로 정보를 교환하는 메인 메모리입니다.
주 메모리의 작동 방식은 저장 장치의 주소에 따라 다양한 유형의 정보를 저장하거나 읽는 것입니다. 이를 통칭하여 액세스 메모리라고 합니다. 주 메모리에 저장 단위를 모으는 캐리어를 메모리 뱅크라고 합니다. 메모리 뱅크의 각 단위는 이진 코드 문자열로 표시되는 정보를 저장할 수 있습니다. 이 정보의 총 비트 수를 저장 단위의 워드 길이라고 합니다. . 저장 장치의 주소와 여기에 저장된 정보 사이에는 일대일 대응이 있습니다. 고정된 장치 주소는 하나뿐이지만 여기에 저장된 정보는 대체될 수 있습니다.
각 단위를 나타내는 이진 코드를 주소 코드라고 합니다. 특정 유닛을 찾을 때 먼저 해당 유닛의 주소 코드를 알려주십시오. 이 주소 코드를 임시로 저장하는 레지스터를 MAR(메모리 주소 레지스터)이라고 합니다. 주 메모리의 저장 장치에서 꺼낸 정보나 특정 저장 장치에 저장하려는 정보를 저장하기 위해 메모리 데이터 레지스터(MDR)도 설정된다.
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