サムスン電子が自社の優位性を再構築するために、1dnm DRAMメモリ技術開発チームを先行して設立したと伝えられている。

5月9日の当サイトのニュースによると、韓国メディアSedailyは業界関係者の話として、Samsung Electronicsが最近1dnm DRAMメモリの技術開発チームを結成することを決定したと伝えた。

DRAMメモリ業界の最新プロセスは、10+nmシリーズの第5世代プロセス、つまり1bnmです

サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの3社の次世代DRAMプロセス1cnmです。今年の第3四半期に発売され、来年には量産される予定です

そして、1dnmプロセスは1cnm以降であり、量産時期は2026年以降になると予想されます。

サムスン電子が各世代のDRAMプロセスを開発する場合、通常、量産に近いPA（プロセスアーキテクチャ）段階までは、半導体およびプロセスエンジニアを含む包括的なチームを編成しません。このチームの主なタスクは、プロセス パラメーターを最適化および調整して、チップのパフォーマンスと信頼性を向上させることです。同時に、製品を予定どおりに市場に届けるために、製造プロセス中に発生するさまざまな問題や問題を解決する責任もあります。

1dnm ノードでは、チームは 1 ～ 2 年前に招集され、現在のチームの規模は約数百人です。

現在のプロセスと比較して、1dnmプロセスはEUVリソグラフィーの量が増加し、より困難になります。サムスン電子は、量産準備を加速し、プロセス最適化サイクルを短縮するために、1dnm DRAM技術開発チームを事前に設立した。

2020年以降、Samsung ElectronicsがDRAMメモリ技術でリードを維持するのは困難になっています:

1nmノードでは、10億ノードに関してはMicronが量産でリードしており、3社はほぼ同等のシェアを持っています。量産時期は同じで、今後の1cnmノードではSK Hynixがリードすると予想されている。

製品面では、HBMメモリ研究開発チームを解散するという以前の誤った決定により、サムスン電子は現在HBM3(E)メモリの競争で遅れをとっています。

サムスン電子は、1dnm DRAM開発への人的資源投資を先行的に増やすことで、現在の衰退を止め、メモリ技術の優位性を再確立し、DRAM技術のアップグレードによるHBM事業の発展を推進したいと考えている。

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