サムスン電子：4nmノードの歩留まりが安定、HBM3E 12Hメモリの量産は第2四半期に開始

4月30日の当サイトのニュースによると、サムスン電子は本日発表した第1四半期決算報告の中で、半導体関連事業の技術情報と将来展望を共有したとのこと。

サムスンは、クリスタル全体のファウンドリ事業の回復は比較的遅れているが、ウェーハ工場の運営効率はある程度改善したと述べた。

技術面では、サムスンは、3nm および 2nm ノード技術は順調に発展しており、

今四半期中に 2nm 設計インフラストラクチャの開発が完了する予定であると述べました

、一方で、

4nm ノードに関しては、歩留まりが徐々に安定しつつあります。 。 サムスンは、3D ICに適した4nmテクノロジーを準備しており、さまざまなアプリケーションのニーズを満たすために、14nmや8nmなどの成熟したノードに適したインフラストラクチャを開発する予定です。

サムスンは、今年下半期に第二世代 3nm 技術の量産を達成し、2nm 技術の成熟度を高める

計画を持っていることを確認しました。

ストレージSamsungは、今月HBM3E 8H (8層スタッキング)メモリの量産を開始し、36GBのシングルスタック容量を提供するHBM3E 12H製品の量産を

今四半期

以内に開始する予定であると発表しました。サムスンは、生成 AI 市場のニーズを満たすために、HBM の供給を引き続き増やしていきます。

従来のDDR5については、1bnm（12nm）プロセスに基づくSamsungの32Gb DDR5も今四半期に量産される予定です。 サムスンは、高密度 DDR5 モジュール市場における同社の競争力を強化するために、この製品のより迅速な生産立ち上げを実現することを計画しています。

Samsung 1bnm 32Gb DDR5 メモリは昨年 9 月にリリースされ、量産は 2023 年末に予定されています。 NANDフラッシュメモリの分野では、サムスンはさらに、第9世代V-NANDの

QLCバージョンが第3四半期

に量産されることを確認しました。

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