関係者によると、サムスン電子は早ければ今月下旬にも第9世代V-NANDフラッシュメモリを量産する予定

当サイトの4月12日のニュース、韓国メディアハンキョンによると、サムスンは今月末にも第9世代V-NANDフラッシュメモリの量産を達成する予定だという。

サムスン幹部のジョンベ・リー氏は10月、同社の次世代NANDフラッシュメモリが「今年初め」に量産され、業界をリードする積層数になると述べた。

サムスンは 236 層の第 8 世代 V-NAND を 2022 年 11 月に量産しました。つまり、2 世代間のギャップは約 1 年半です。

▲サムスンの第8世代V-NANDフラッシュメモリ

ハンギョン氏は、第9世代V-NANDフラッシュメモリの積層数は290層になると発表した、しかし今回は Web サイトからの以前のレポートでは、サムスンが学会で 280 層の積層型 QLC フラッシュ メモリをデモンストレーションし、フラッシュ メモリの IO インターフェイス レートが 3.2GB/s に達したと述べられていました。

サムスンは、プロセスの簡素化と製造コストの削減を実現するために、第 9 世代 V-NAND でデュアル フラッシュ メモリ スタックの構造を引き続き使用します。サムスンは来年発売予定の第10世代V-NANDフラッシュメモリを3スタック構造に切り替える。

新しい構造により、3Dフラッシュメモリの最大積層数がさらに増加し​​ますが、スタックの位置合わせがより複雑になります。SKハイニックスはこれを使用して321層NANDフラッシュメモリを量産します来年の構造です。

半導体業界の観察者TechInsightsは、サムスンの第10世代V-NANDフラッシュメモリは430層に達し、積層の利点がさらに向上すると予想されていると述べた。

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