STマイクロエレクトロニクスは、組み込みPCMをサポートするための18nm FD-SOIプロセスを開始するためのSamsungとの提携を発表

3月21日の本サイトのニュースによると、STMicroelectronicsはSamsungと共同で18nm FD-SOIプロセスを立ち上げると発表した。このプロセスは、組み込み相変化メモリ (ePCM) をサポートしています。

FD-SOI (完全空乏型シリコン・オン・インシュレーターの略) は、単純な製造ステップで優れたリーク電流制御を実現するプレーナー半導体プロセス技術です。

STMicroelectronics は、現在使用している 40nm eNVM テクノロジーと比較して、ePCM を使用した 18nm FD-SOI プロセスはパフォーマンスが大幅に向上していると述べました。パラメータ : エネルギー効率が 50% 向上し、デジタル密度が 3 倍に向上し、より大きなオンチップ メモリに対応でき、雑音指数が低くなります。

このプロセスは、3V で電源管理やリセット システムなどのさまざまなアナログ機能を提供できます。これは、20nm プロセス以下でこれらの機能をサポートする唯一のテクノロジーです。

同時に、新しい 18nm FD-SOI プロセスは、高温耐性と耐放射線性においても優れた性能を備えており、要求の厳しい産業用途にも使用できます。

このプロセスに基づいた STMicroelectronics の最初の STM32 MCU は、今年下半期に一部の顧客向けにサンプル出荷が開始され、 は 2025 年下半期に量産される予定です。

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