アナリスト: マイクロンの不揮発性 NVDRAM メモリには多くのハイライトがあるが、商品化される可能性は低い

1月29日の当サイトのニュースによると、Micronは2023年末のIEEE IEDMカンファレンスで32Gb 3D NVDRAM（不揮発性DRAM）の研究開発成果を発表した。しかし、海外メディア Blocks & Files がインタビューした業界アナリスト 2 名から入手したニュースによると、 この画期的な新しいメモリは基本的に商業的な量産に向けられる可能性は低いとのことです しかし、それが示す技術的進歩により現れることが期待されています将来のメモリ製品に。

Micron の NVDRAM メモリは、強誘電性の原理に基づいており (このサイトからの注: 自発分極があり、外部電界の下で分極方向を反転できます)、非磁界で使用できます。 -同様のNANDフラッシュメモリを搭載したデバイスを容易に実現ロスレスパフォーマンスを実現しながら、DRAMに近い高耐久性と低レイテンシを実現します。新しいメモリは 2 層 3D スタッキングを使用しており、32Gb の容量密度は強誘電体メモリの新記録を樹立します。マイクロンは、LPDDR5 仕様に基づいて NVDRAM サンプルをテストし、要求の厳しい AI ワークロードに適していると判断しました。

▲関連紙ポスター、画像ソース Egnyte

しかし、インタビューを受けたアナリストの二人は、Micron NVDRAM 自体が量産製品になる可能性は低いと考えています。

Objective Analysis のアナリストである Jim Handy は、Micron の 32Gb NVDRAM には 3 つの重要な技術的進歩があると考えています。

初めて、既存の DRAM よりも小さな強誘電体コンデンサが製品に実装されました。

垂直チャネルにポリシリコン技術を導入;

3D NAND 製造に使用される CuA (CMOS アレイ下) 技術をメモリ分野に推進します。

Jim Handy は、Micron NVDRAM がコンデンサにジルコニウム (Zr) ドープ酸化ハフニウム (HfO₂) の高誘電率材料を使用しているため、メモリのリフレッシュ レートが大幅に低下し、消費電力が大幅に節約されると考えています。この改善により、DRAM のコンデンサのサイズも小さくなり、記憶密度がさらに向上します。

上記の一連の技術改善により、Micron は 48nm の成熟したプロセスのみを使用して 32Gb NVDRAM を生産できるようになりました。比較のために、サムスンは昨年、12nmプロセスを使用した同じ32Gb容量のDDR5 DRAMを発売しましたが、これはMicronのサンプルよりも大幅に進んでいます。 しかし、ジム・ハンディ氏は、NVDRAMが量産段階に入らないというヒントをいくつか聞いたことがあるとも述べた。

インタビューを受けたもう一人のアナリストは、MKW Ventures の Mark Webb 氏です。彼は、マイクロンが関連プロジェクトに多くの時間とエネルギーを投資してきたと信じています。このような詳細な論文が IEDM カンファレンスで発表される場合、通常は 2 つの状況しかありません。製品が発売されようとしているか、または不明な理由で製品がキャンセルされるかのどちらかです。 Mark Web 氏は、この特定のバージョンの製品が今後も製造されることはないと考えていると結論付けています。

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