ルネサス エレクトロニクス、窒化ガリウム GaN 製品レイアウト拡大のため、Transphorm を 3 億 3,900 万ドルで買収すると発表

ルネサス エレクトロニクスは、米国のGaNパワー半導体サプライヤーであるTransphormを1株あたり5.10米ドル、総額3億3,900万米ドル(約24億3,400万元)で買収すると発表した。この買収価格は1月10日の終値に対して約35％のプレミアムを上乗せした金額となる。

関係者らは、この買収によりルネサスはGaN社内技術にアクセスできるようになり、電気製品を含む急成長市場での事業範囲がさらに拡大すると述べた。自動車、コンピューティング、再生可能エネルギー、産業用電源、急速充電器/アダプター。

GaN テクノロジーは、より高いスイッチング周波数、より低い電力損失、より小さなフォームファクターを特徴としており、より効率的で軽量な構造と全体的なコストの削減を可能にします。業界の調査によると、GaN の需要は毎年 50% 以上増加すると予想されています。

ルネサスは、Transphorm の車載グレードの GaN テクノロジーを使用して、新しい強化された電源ソリューションを開発すると発表しました。これらには、電気自動車用の X-in-1 パワートレイン ソリューションだけでなく、コンピューティング、エネルギー、産業用、民生用アプリケーション用のその他のソリューションも含まれます。これにより、電気自動車や業界全体のエネルギー効率とパフォーマンスの向上がさらに促進されます。

ルネサス エレクトロニクスはまた、効率的な電源システムに対する世界的な需要が高まるにつれ、関連産業が徐々に炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) に代表されるワイドバンドギャップ (WBG) に目を向け始めていると指摘しました。この傾向に適応するために、ルネサスは社内に炭化ケイ素（SiC）生産ラインを確立し、サプライヤーと10年間の炭化ケイ素（SiC）ウェーハ供給契約を締結しました。これは、効率的な電力システムに対する市場の需要に応え、関連産業の発展を促進するのに役立ちます。

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