1nmプロセスを急ぐ、日本のラピダス、東京大学、フランスの研究機関が協力して最先端の半導体を開発

『日本経済新聞』の報道によると、日本のチップメーカーRapidusと東京大学はフランスの半導体研究機関Letiと協力し、回路線幅1ナノメートルレベルの次世代半導体設計の基礎技術を共同開発する

報道によると、両国は来年から人事交流と技術共有を開始する予定 フランスの研究機関Letiはチップ部品の専門知識を提供し、1nm製品を供給するインフラを構築する

両者の目標は、線幅1.4nm～1nmの半導体の設計・開発に必要な基礎技術を確立することです。 1nm製品の製造には従来とは異なるトランジスタ構造が必要であり、Letiはこの分野の成膜などのキー技術で高い能力を持っています。

2nm と比較して、1nm テクノロジーはコンピューティングのパフォーマンスと効率を 10 ～ 20% 向上させることができます。 RapidusはIBMおよびベルギーの研究開発グループImecと提携し、2027年までに2nmチップの量産という目標を達成し、早ければ2030年代には1nm半導体が主流になると予想されている。同時にIBMは1nm分野でRapidusとの協力も検討している。

このサイトの以前のレポートによると、オランダの大手半導体製造装置メーカーである ASML は、2024 年後半までに日本の北海道に新しい技術サポート拠点を建設する予定です。ラピダス社は最先端の半導体の量産化を目指しており、ASMLはラピダス社に工場建設や保守点検を支援し、2028年頃までに国内要員を40%増員する予定です。

広告文: 記事に含まれる外部ジャンプ リンク (ハイパーリンク、QR コード、パスワードなどを含むがこれらに限定されない) は、より多くの情報を伝え、選択時間を節約するために使用されます。結果は参考用です。 . サイト内のすべての記事にはこの記述が含まれています。

以上が1nmプロセスを急ぐ、日本のラピダス、東京大学、フランスの研究機関が協力して最先端の半導体を開発の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。