サムスンは来年下半期に次世代3nm/4nmノード技術を量産すると予想されている

本ウェブサイトの 11 月 3 日のニュースによると、サムスン電子は今週投資家に対し、近い将来にフォトリソグラフィー技術を移行および促進する予定であること、および 第 2 世代 3nm プロセス技術 (SF3) の発売を計画していることを明らかにしました。 2024年後半に市場投入予定。4nmプロセス（SF4X）製品の量産版も同様。

出典: Samsung Electronics

同社の声明文:

今年後半にはハイパフォーマンスコンピューティング向けの第2世代3nmプロセスと第4世代4nmプロセスの量産を開始し、さらなる技術競争力の強化を目指します

モバイルニーズに伴い市場はハイパフォーマンス コンピューティング (HPC) のアップグレード需要の回復により、成長傾向が見込まれています。これまでに公開された情報によると、このノードは仮想通貨マイニング用の小型チップの製造にのみ使用されています。

サムスンは、SF3 がより大きな設計の多用途性を提供すると主張しています。同じセルタイプ内で異なるオールゲート (GAA) トランジスタに対して異なるナノシート チャネル幅を使用できるようになります。 Samsung は SF3 と SF3E を直接比較しませんでしたが、SF3 はパフォーマンスが 22% 向上するなど、同じ能力と複雑さで大幅に改善されていると述べています。さらに、同じ周波数とトランジスタ数の下で、消費電力は 34% 削減され、ロジック面積も 21% 削減されます。サムスンは、これらの改善は SF4 (4LPP、4nm レベル、低消費電力) に関連していると述べていることに注意してください。

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