HBM4 メモリは開発中であり、より広い 2048 ビット インターフェイスを使用する予定です

サムスンの公式ニュースは、ハイパフォーマンス コンピューティング (HPC) 用の HBM メモリが新たな進歩を遂げたことを示しています。 9.8Gbps HBM3E 製品は顧客向けにサンプル提供を開始しており、HBM4 メモリは 2025 年に発売される予定です。HBM4 の正式な仕様はまだありませんが、TSMC は 2023 年の OIP フォーラムで、一部が作業標準にあることを明らかにしました。 TSMC は、HBM4 メモリのインターフェイス ビット幅が将来 2 倍の 2048 ビットになると述べました。

さまざまな技術的な理由により、また、HBM メモリ スタックの設置面積を増やさずにこの目標を達成したいと考えています。これにより、クロック速度をさらに高めることなく、次世代 HBM メモリの相互接続密度が 2 倍になります。

計画によれば、これにより、HBM4 は複数の技術レベルで大きなブレークスルーを達成できるようになります。

DRAM スタッキングの観点からは、2048 ビット メモリ インターフェイスにはスルーシリコンの数を大幅に増やす必要があります。ビア。同時に、外部チップインターフェイスでは、バンプピッチを55ミクロン未満に縮小し、マイクロバンプの数を大幅に増やす必要があります(このサイトからの注: HBM3には現在約3982のマイクロバンプがあります)。

さらに、HBM4 は、1 つのモジュールに 16 個のメモリ チップをスタックする 16-Hi スタッキング モードを採用するため、技術的な複雑さが増大します (技術的な観点から見ると、HBM3 は 16-Hi スタッキングもサポートしていますが、これまで実際にこれを採用したメーカーはありません）

これらすべての新しい指標には、チップ メーカー、メモリ メーカー、チップ パッケージング会社がより緊密に連携したアプローチを採用する必要があります。すべてがスムーズに進むようにするためです。

アムステルダムで開催された TSMC OIP 2023 カンファレンスで、TSMC の設計インフラストラクチャ管理責任者である Dan Kochpatcharin 氏は次のように述べました。私たちは、3 つのパートナーすべてと協力して、HBM4 (当社の高度なパッケージングを通過できる) を認定し、RDL またはメディエーター、またはその両方が中間のコンテンツのレイアウトと速度をサポートできることを確認するために懸命に取り組んでいます。 HBM4. したがって、当社はサムスン、SK ハイニックス、マイクロンとの協力関係を維持しています。」

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