ホームページ > 記事 > テクノロジー周辺機器 > 急速充電ヘッドは「キャベツ価格」になる見通し、日本企業の新技術で窒化ガリウム半導体材料のコストを90%削減
本サイトの 9 月 5 日のニュースによると、日本最大の半導体ウェーハ会社である信越化学工業と、ATM や通信機器を手掛ける OKI 社は、最近、 低窒化ガリウム(GaN)を用いた低コスト製造法パワー半導体材料技術。
報告書によると、この技術により製造コストを従来の製造方法の 10 分の 1 以下に削減できるとのことです。量産できれば急速充電器などの普及につながる。
当サイトは公式プレスリリースで、信越化学工業とOKIが開発した新技術により、独自のQST基板にガリウム系ガスを吹き付けて結晶を成長させることができることを知りました。信越化学工業の結晶厚膜化技術とOKIの接合技術を融合し、結晶のみを基板から浮かせます。結晶は他の基板上に配置され、パワー半導体のウェーハとして使用されます。
。シリコン基板上にGaN結晶を成長させる方法と比較して、基板と結晶の間に絶縁層が必要ありません。結晶膜の厚みも相まって20倍の電流を流すことが可能です。
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