メモリは内部メモリと外部メモリの 2 つのカテゴリに分けられますか?

＃＃＃＃＃＃はい。メモリは 2 つのカテゴリに分類できます。 1. メイン メモリまたはメモリと呼ばれる内部メモリ。その機能は命令とデータを保存することであり、中央処理装置 (CPU) によって直接ランダムにアクセスできます。つまり、直接交換できます。 2. 外部メモリ (補助メモリまたは外部メモリと呼ばれる) は、コンピュータのメモリと CPU キャッシュ以外のストレージを指します。一時的に使用されていないプログラムやデータを保存するために使用されます。このタイプのストレージは通常、データを保存できます。停電の後。

このチュートリアルの動作環境: Windows 7 システム、Dell G3 コンピューター。

メモリは、ユニット番号順に配置された多数の記憶ユニットの集合です。各ユニットは、ストレージ ユニットに格納される値を表す多数のバイナリ ビットで構成されます。この構造は配列の構造に非常に似ているため、VHDL 言語では通常、メモリを記述するために配列が使用されます。

メモリは、プログラムやさまざまなデータ情報を保存するために使用される記憶コンポーネントです。

メモリは、メイン メモリ (メイン メモリまたはメモリと呼ばれます) と外部メモリ (補助メモリまたは外部メモリと呼ばれます) の 2 つのカテゴリに分類できます。 CPUと直接情報をやり取りするのはメインメモリです。

メインメモリは、アクセスメモリと総称される記憶装置のアドレスに従って、さまざまな種類の情報を保存または読み出すことによって機能します。主記憶の記憶単位を集めた担体をメモリバンクと呼びます。メモリバンクの各単位には、バイナリコードの列で表される情報を記憶できます。この情報の総ビット数を記憶単位の語長と呼びます。記憶装置のアドレスと記憶情報は１対１に対応しており、装置アドレスは１つだけ固定ですが、記憶情報は置き換え可能です。

各ユニットを示すバイナリコードをアドレスコードといいます。特定のユニットを検索する場合は、まずそのアドレス コードを指定します。このアドレスコードを一時的に格納するレジスタをメモリアドレスレジスタ（MAR）と呼びます。メインメモリの記憶部から取り出した情報や、ある記憶部に記憶する情報を記憶するために、メモリデータレジスタ（MDR）も設けられる。

#内部メモリ

メイン メモリ (メイン メモリ)、メイン メモリと呼ばれます。これはコンピュータ ハードウェアの重要なコンポーネントであり、その機能は命令とデータを保存することであり、中央処理装置 (CPU) によってランダムに直接アクセスできます。最近のコンピュータは、妥当なコストを維持しながらパフォーマンスを向上させるために、マルチレベルのストレージ システムを採用することがよくあります。つまり、記憶容量が小さくアクセス速度が速いキャッシュメモリと、記憶容量とアクセス速度が適度なメインメモリが必須である。メインメモリはアドレスに従って情報を記憶しますが、一般にアクセス速度はアドレスとは関係ありません。 32 ビット (bit) のアドレスで最大 4GB のメモリアドレスを表現できます。ほとんどのアプリケーションにはこれで十分ですが、64 ビット構造を必要とする一部の非常に計算集約的なアプリケーションや非常に大規模なデータベースには不十分です。

内部メモリにはさまざまな種類があります。

ランダム アクセス メモリ (RAM) は、計算中に高速スクラッチ メモリ領域として使用されます。データは RAM に保存され、読み取られて新しいデータに置き換えられます。 RAM は、コンピュータの実行中に使用できます。これには、コンピューターが現在取り組んでいる問題に関する情報が含まれています。ほとんどの RAM は「揮発性」です。つまり、コンピュータの電源を切ると情報が失われます。

• 読み取り専用メモリ (ROM) は安定しています。これは、コンピュータが必要なときに必要とする一連の命令を保存するために使用されます。 ROM に保存されている情報は「ハードワイヤード」 (つまり、電子コンポーネントの物理的な部分です) であり、コンピューターによって変更することはできません (そのため、「読み取り専用」という名前が付けられています)。可変 ROM はプログラマブル専用と呼ばれます。読み取りメモリ(PROM) は、外部の電気デバイスまたは光学デバイス (レーザーなど) にさらすことで変更できます。

• PROM はプログラム可能な ROM であり、1 回だけ書き込むことができます。 ROM と同じ) ですが、工場出荷後に特別な電子機器を使用してユーザーが書き込むこともできます。

• EPROM は、読み書きできる消去可能な PROM です。書き込み動作では、紫外線を照射してすべての情報を消去し、EPROM プログラマを使用して書き込む必要があります。複数回の書き込みが可能です。

• EEPROM は電気的に消去できるほか、 PROM は、EPROM と同様に読み取りと書き込みが可能で、書き込み操作の前に以前の内容を消去する必要がなく、アドレス指定されたバイトまたはブロックを直接変更できます。
フラッシュ メモリ (フラッシュ メモリ) は、EPROM と EEPROM の中間の特性を持っています。フラッシュ メモリは、電気信号を使用して高速削除操作を実行することもできます。これは、EEPROM よりもはるかに高速です。ただし、バイト レベルの削除は実行できません。操作、その統合レベル
• #外部メモリ

外部メモリとは、CPU キャッシュ以外のストレージを指し、このタイプは通常、電源を切った後もデータを保存できるストレージはあります。

外部メモリを使用するには、コンピュータがテープやディスクなどの外部記憶装置から情報を読み取る必要があります。外部メモリは、未使用のプログラムやデータを一時的に保存するために使用されます。 外部ストレージは通常、ハード ドライブ、フロッピー ディスク、テープ、CD などの磁気メディアまたは光ディスクで、情報を長期間保存でき、情報の保存に電気に依存しません。機械部品によって駆動されるため、速度は CPU の速度よりもはるかに遅くなります。

• フロッピー ディスク: フロッピー ディスクは、プロトタイプのネガを作成するために柔らかいポリエステル素材を使用し、両面に磁性素材がコーティングされています。一般的に使用されているフロッピー ディスクは、直径 3.5 インチ、記憶容量 1.44MB で、フロッピー ディスク ドライブを通じてデータを読み取ります。

• U ディスク: U ディスクは「フラッシュ ディスク」とも呼ばれ、コンピューターの USB ポートを介してデータを保存できます。フロッピー ディスクと比較すると、U ディスクは、サイズが小さく、記憶容量が大きく、持ち運びが容易であるため、フロッピー ディスクに取って代わりました。

• ハードディスク: ハードディスクは、アルミニウム合金の原板に磁性体をコーティングしたもので、各ハードディスクは複数の磁気ディスクから構成されています。このうちソリッドステートドライブは、記憶媒体としてフラッシュメモリを用いた半導体メモリであり、機械式ハードディスクドライブに比べ、読み書き速度が速く、遅延が少なく、耐衝撃性に優れているなどの利点があり、世界の出荷シェアを占めています。世界のハードドライブ市場は拡大を続けています。 [2] モバイル ソリッド ステート ドライブの普及により、モバイルの機械式ハード ドライブに慣れている人にとってバックパックの重量は大幅に軽減されました。さらに、ソリッドステート ハード ドライブとモバイル ハード ドライブの組み合わせは、耐衝突性、軽量、待ち時間なしのプラグ アンド プレイなど、モバイル ストレージ製品の主な特性と明らかに一致しています。

• テープ メモリ: テープはシーケンシャル アクセス メモリ SAM とも呼ばれます。ストレージ容量は大きいですが、検索速度が非常に遅いため、通常はデータのバックアップ ストアとしてのみ使用されます。コンピュータ システムで使用されるテープ ドライブには、リール テープ ドライブ、データ ストリーミング テープ ドライブ、スパイラル スキャン テープ ドライブの 3 種類があります。

• 光ディスクストレージ: 光ディスクとは、光学的手段を使用して情報を保存するディスクを指します。これは、レーザーを使用して特定の媒体に情報を書き込み、レーザーを使用して情報を読み取る光ストレージ技術を応用したものです。光ディスクストレージは、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM などに分類できます。

さらに関連する知識については、FAQ 列をご覧ください。

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