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ホームページハードウェアチュートリアルハードウェアニュースSamsung、PM1753 データセンターグレード SSD を発売へ: 14.8 GB/秒のシーケンシャル読み取り、340 万のランダム読み取り IOPS

8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多数の新しい SSD 製品をデモンストレーションし、第 9 世代 QLC V-NAND、TLC V もテストしました-NAND および CMM-D – DRAM、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL テクノロジーが導入されています。

BM1743 は、最大 128TB の容量、連続読み取り速度 7.5 GB/s、書き込み速度 3.5 GB/s、ランダム読み取り 160 万 IOPS、書き込み 45,000 IOPS の QLC フラッシュ メモリを使用します。 2.5 インチのフォーム ファクタと U.2 インターフェイスを採用しており、アイドル時の消費電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後には 2 W のみが必要になります。

PM1753 は、14.8 GB/秒の連続読み取り速度と 11 GB/秒の書き込み速度を備え、340 万 IOPS のランダム読み取りパフォーマンスと 600,000 の書き込み IOPS を実現します。最大容量は 32 TB です。 U .2 および E3.S バージョンが利用可能ですが、その他の詳細はまだ発表されていません。

Samsung PPT も 1 PB の容量を持つ SSD について言及しましたが、予想される発売日は 2035 年です。さらに、256 TB の容量の SSD は 2024 ~ 2026 年に発売され、512 TB は 2027 ~ 2029 年に発売され、EDSFF-E3.L データセンター向けにのみ計画されています。コンシューマーグレードの M.2 については、Samsung から 16TB バージョンが入手できるまで、少なくとも 2027 年まで待たなければなりません。

三星将推出 PM1753 数据中心级 SSD:顺序读取 14.8 GB/s,随机读取 340 万 IOPS

▲Samsung Electronics副社長兼先進開発チーム長のSilwan Chang氏が基調講演を行った

このサイトでは、Samsung Electronicsが今日北京で2024 Open Compute China Summit (OCP)も開催したことに注目した(中国)氏は、2023 年後半に発売される PM1743a (32TB/64TB) をはじめ、データセンターレベルの PM9D3a、第 9 世代 VNAND テクノロジーをベースにした PM1753 など、多数の製品について言及しました。

三星将推出 PM1753 数据中心级 SSD:顺序读取 14.8 GB/s,随机读取 340 万 IOPS

▲Samsung Semiconductorのブースは、革新的な大容量ストレージ製品PM9D3aを展示しました

報道によると、Samsungの業界初の8チャンネルPCIe Gen5 SSDとして、PM9D3aは既存のフラッシュメモリ階層の制限を突破し、最大50Kを達成します。 TB あたりの IOPS ランダム書き込みパフォーマンスを実現し、FDP テクノロジーを初めてサポートするこのテクノロジーは、米国と中国の主要なデータセンターで導入され、テストされています。

Samsung Electronics の次期新世代 PCIe Gen5 SSD PM1753 は、前世代と比較して、シーケンシャル書き込みパフォーマンスが 1.6 倍、ランダム読み取りおよび書き込み速度が 1.3 倍および 1.7 倍向上しています。

サムスンは、技術の進歩を追求する一方で、AI処理の消費電力の重要性は無視できないと述べました。 TLC テクノロジーに基づく PM1753 を例にとると、AI ワークロード下でのシーケンシャル書き込みエネルギー効率は前世代よりも 1.7 倍高く、従来のサーバーにおけるランダム I/O 操作のエネルギー効率も 1.6 倍向上しています。 AI アプリケーションは、I/O 操作中の電力消費を最適化するだけでなく、スタンバイ モードでの SSD の電力消費も削減する必要があります。 PM1753 のアイドル時消費電力は 4W に削減されており、次世代製品ではアイドル時消費電力を 2W に圧縮して、データセンターの省エネと排出削減目標の達成を支援する予定です。 PM1753 は、生成 AI サーバー アプリケーションにとって優れたソリューションとなることが約束されています。

サムスンは、現在顧客テストを行っている、最大 9.8Gbps の速度と 1TB/s 以上の帯域幅を備えた次世代の HBM3E メモリ製品についても紹介しました。 HBM4 製品は 2025 年にすべてのユーザーに導入される予定です。同時にサムスンは、業界初の SoC (プロセッサ) ベースの CMM 製品 CMM-H (CMM-PM と CMM-H TM を含む) についても言及しました。これらの製品は、それぞれデータの永続化と仮想マシンの移行のニーズに対応し、より強力なソリューションを提供します。 AI時代のメモリソリューション。

以上がSamsung、PM1753 データセンターグレード SSD を発売へ: 14.8 GB/秒のシーケンシャル読み取り、340 万のランダム読み取り IOPSの詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。

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