Samsung の 8 層 HBM3E チップは熱と電力のハードルを克服して Nvidia の承認を確保

サムスン電子は、8層HBM3Eメモリチップに対するNvidiaの厳格なテストに合格し、急速に成長するAIチップ業界の主要サプライヤーとしての地位を確立しました。 HBM (High Bandwidth Memory) は、超高速で大量のデータを処理できるように設計された特殊なタイプの DRAM です。これは、人工知能アプリケーションに必要な複雑な計算を実行するための重要なコンポーネントです。最新の HBM3E は、HBM3 よりもさらに高いパフォーマンスとエネルギー効率を提供します。

Nvidia の承認を確保することは、HBM チップの熱と電力消費に関する課題に以前から直面していた Samsung にとってハードルでした。同社はその後、AI アプリケーションの要求が高まる中、Nvidia の基準を満たすためにこれらの問題に取り組んできました。サムスンは、SKハイニックスやマイクロンなどの企業とともに、この需要に応えようと競っている。

サムスンの 12 層 HBM3E チップはまだ評価中ですが、いずれにせよ、8 層バージョンの承認は同社にとって一歩前進です。 Nvidia は最近、Samsung の第 4 世代高帯域幅メモリ チップである HBM3 を初めてクリアしました。ただし、ロイターは以前、このチップは中国固有の Nvidia グラフィック カードでのみ使用される可能性が高いと述べました

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