SK Hynix、Samsung Electronics: DRAM 生産ライン全体の 20% 以上が HBM メモリに使用されている

5月14日の当サイトのニュースによると、韓国メディアハンキョンによると、2大ストレージ大手のSKハイニックスとサムスン電子は、今月初めに開催された投資家向けイベントに出席した際、DRAM全体の生産にはすでに2社が参加していると述べたという。 HBMメモリの生産ライン。

HBMメモリは汎用DRAMに比べて単価が高くなりますが、TSVプロセスの歩留まりが悪いなどの理由により、ウエハの消費量が従来のメモリの2倍、さらには3倍になります。生産ラインの割合を増やすことによってのみ、メモリ会社は増大する HBM 需要に対応できます。

サムスン電子の代表者らは、この「容量占有」を背景に、HBMメモリだけでなく

汎用DRAM(標準DDR5など)の価格も年内には下がらないと予測している。

SKハイニックスは、今年末時点の生産能力に基づいて、2025年にHBMメモリの生産能力の割り当てを完了したことを再度確認した

サムスン電子は、HBMの受注状況は2025年とほぼ同じであると述べた。競合他社のメモリも販売されており、来年には HBM メモリの供給過剰は発生しないと推定されています。

Samsung Electronicsの代表者は、

同社のHBM4メモリが来年開発を完了し2026年に量産を達成する計画であることを確認し、Samsung ElectronicsがHBM4メモリへのハイブリッドボンディングの適用を開始する計画であると述べた。

このサイトの以前のレポートでは、SK Hynix が HBM4 にハイブリッド ボンディングを適用する可能性は低いと考えており、Samsung Electronics とは矛盾する見解を持っていると述べました。

さらに、サムスン電子の代表者は、エンタープライズレベルのソリッドステートドライブ市場については、関連する需要の成長が長期的な傾向になると考えています。

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