L'impact de la vague de l'IA est évident. TrendForce a révisé à la hausse ses prévisions d'augmentation des prix des contrats de mémoire DRAM et de mémoire flash NAND ce trimestre.

Selon le rapport d'enquête de TrendForce, la vague de l'IA a un impact significatif sur les marchés de la mémoire DRAM et de la mémoire flash NAND. Dans l'actualité de ce site du 7 mai, TrendForce a déclaré aujourd'hui dans son dernier rapport de recherche que l'agence avait augmenté les augmentations de prix contractuels pour deux types de produits de stockage ce trimestre.

Plus précisément, TrendForce a initialement estimé que le prix du contrat de mémoire DRAM au deuxième trimestre 2024 augmenterait de 3 à 8 %, et l'estime désormais à 13 à 18 %

En termes de mémoire flash NAND, l'estimation initiale est ; que le prix augmentera de 13 à 18 %, et le nouveau Il est estimé à 15 à 20 %, et seul eMMC/UFS a un taux de croissance inférieur de 10 %.

▲ Source de l'image TrendForce TrendForce

TrendForce a déclaré que l'agence s'attendait initialement à ce qu'après deux ou trois trimestres consécutifs d'augmentation des prix, la demande de mémoire DRAM et de mémoire flash NAND ne soit pas disposée à accepter des prix importants. augmente.

Mais fin avril, les sociétés de stockage ont achevé le premier cycle de négociations sur les prix des contrats après le tremblement de terre à Taiwan, et l'augmentation a été plus importante que prévu. La raison en est qu'en plus de l'intention de l'acheteur de soutenir le prix du stock en main, l'impact le plus important est que l'engouement pour l'IA a apporté des changements psychologiques à la fois du côté de l'offre et de la demande de l'industrie du stockage. Sur le marché de la DRAM, les fabricants de stockage craignent que l'augmentation de la capacité de production de mémoire HBM n'évince encore davantage l'offre de mémoire traditionnelle :

Selon un rapport antérieur sur ce site Web, Micron a déclaré que la consommation en volume de tranches de mémoire HBM3E est trois fois supérieure à celle de la mémoire DDR5 traditionnelle ; recherche Le rapport indique que d'ici fin 2024, environ 60 % de la capacité globale de production de DRAM de Samsung Electronics dans le processus 1αnm sera occupée par la mémoire HBM3E.

Après évaluation, la demande s'est tournée vers

envisageant de stocker de la mémoire DRAM à l'avance au deuxième trimestre

pour faire face à la tension de l'offre causée par l'augmentation de la production de mémoire HBM à partir du troisième trimestre. En termes de produits de mémoire flash NAND, les économies d'énergie sont devenues une priorité pour les serveurs d'inférence IA, et les fournisseurs de services cloud nord-américains étendent leur adoption des disques SSD de classe entreprise QLC. Les stocks de produits de mémoire flash se sont accélérés. Dans ce contexte, certains fournisseurs sont devenus réticents à vendre.

Cependant, le rapport de recherche mentionne également qu'en raison de l'incertitude quant à la reprise de la demande de produits de consommation, les dépenses d'investissement des fabricants de stockage en capacité de mémoire non-HBM ont toujours tendance à être conservatrices, en particulier la mémoire flash DRAM, qui est toujours au plus bas. seuil de rentabilité.

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