SK Hynix et Samsung Electronics devraient commencer la production en série de mémoire DRAM de 1 cent nanomètre au cours de cette année.

Selon les informations de ce site du 9 avril, selon le média coréen Businesskorea, SK Hynix et Samsung Electronics devraient commencer la production en série de mémoire DRAM de 1c nanomètres d'ici l'année.

Après avoir entré le processus 20 ~ 10 nm, les générations de mémoire sont généralement appelées sous la forme de 1 + lettres. 1c nm correspond à l'expression 1-gamma nm de Micron et est la sixième génération de processus 10+ nm. Samsung appelle la génération précédente 1b nm « classe 12 nm ».

Samsung a récemment déclaré lors de la conférence industrielle Memcon 2024 que il prévoyait de parvenir à une production de masse du procédé 1c nm d'ici la fin de cette année

Récemment, des sources de l'industrie ont révélé que SK Hynix avait planifié en interne une production de masse dans le Feuille de route du troisième trimestre pour la mémoire DRAM 1c nm.

SK Hynix prévoit de se préparer à l'avance et de fournir de la mémoire 1c nm à des clients majeurs tels que Microsoft et Amazon dès qu'elle aura passé la vérification de l'industrie.

Pour Samsung Electronics et SK Hynix, leurs produits de mémoire de nouvelle génération devraient augmenter l'utilisation de la lithographie EUV, réduire la largeur des lignes, augmenter la vitesse tout en apportant une meilleure efficacité énergétique.

Référez-vous aux rapports précédents sur ce site, Micron sera ; Le nano-nœud in 1 -Gamma introduit pour la première fois la technologie EUV et devrait être produit en série en 2025. Des essais de production ont déjà été réalisés.

La société taïwanaise Nanya développe son produit de mémoire DDR5 de première génération, qui devrait être lancé cette année.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!