La mémoire flash Yangtze Memory QLC X3-6070 a une durée de vie d'écriture et d'effacement de 4 000 fois, rattrapant ainsi les produits TLC

Selon les informations de ce site Web du 28 mars, selon le média taïwanais DIGITIMES, Yangtze Memory a déclaré lors du China Flash Memory Market Summit CFMS2024 que la mémoire flash X3-6070 QLC utilisant la technologie Xtacking de troisième génération a atteint une endurance P/E de 4 000 fois.

Remarque tirée de ce site : contrairement à la durée de vie de la garantie, les disques SSD TLC d'origine grand public ont généralement une durée d'effacement et d'écriture d'au moins 3 000 niveaux P/E lors des tests.

▲ Source de l'image Responsable du Sommet du marché de la mémoire flash en Chine, CFMS, la même ci-dessous

Le directeur technique de Yangtze Memory, Huo Zongliang, a déclaré que l'industrie de la mémoire flash NAND a déjà traversé l'année la plus difficile de 2023 et entrera dans une période de hausse cette année. année, et devrait se situer entre 2023 et 2027. Le taux de croissance composé de la demande totale de mémoire flash peut atteindre 21 %, et le taux de croissance composé de la capacité moyenne d'un seul appareil est de 20 %.

Dans ce cycle ascendant, les trois nouveaux défis majeurs auxquels est confronté le marché du stockage sont la réduction rapide du coût par Go, l'amélioration accélérée des performances de lecture et d'écriture et la satisfaction de besoins diversifiés. Les clients attendent une densité plus élevée au même prix. .

En termes d'amélioration de la densité, L'augmentation du nombre de couches d'empilement de NAND 3D est devenue un nouveau problème dans l'industrie, il est donc nécessaire de promouvoir l'application de QLC NAND. Selon les prévisions du marché, la part de QLC devrait dépasser 40 % d’ici 2027, soit nettement plus que les 13 % de l’année dernière.

Yangtze Memory a déclaré que sa mémoire flash X3-6070 QLC utilisant la technologie Xtacking de troisième génération a une vitesse d'E/S 50 % plus élevée, une densité de stockage 70 % plus élevée et une durée de vie de 4 000 effacements/écritures par rapport au produit de la génération précédente. Cela signifie que la technologie QLC de Yangtze Storage a été développée avec maturité et peut être étendue au stockage au niveau de l'entreprise, aux terminaux mobiles et à d'autres domaines. Lors de ce sommet, Yihengchuangyuan a présenté les disques SSD de qualité centre de données PBlaze7 série 7340, basés sur une mémoire flash QLC à long terme.

En termes de détails techniques, la conception de la structure Xtacking qui sépare le circuit CMOS de la matrice de mémoire flash apporte une plus grande flexibilité à l'algorithme de fonctionnement, améliorant ainsi la fiabilité de QLC. De plus, la technologie Xtacking de troisième génération permet une modulation de tension plus flexible et la marge de la fenêtre de lecture a été améliorée.

De plus, Yangtze Memory a également présenté sur place le disque SSD QLC grand public PC41Q. Le PC41Q dispose d'une bande passante de lecture et d'écriture séquentielle de 5 500 Mo/s. Yangtze Memory affirme que la capacité de conservation des données et la fiabilité de ce disque SSD sont comparables à celles des disques SSD TLC, atteignant 1 an de conservation des données et 2 millions d'heures de MTBF. à 30°C.

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