Maison > Article > Tutoriel matériel > La différence entre les clés USB de 3e et 4e génération
2. Votre carte mère ne peut pas installer de mémoire DDR4, car la DDR4 et la DDR3 ont des tensions différentes, des fréquences différentes, des apparences différentes et des interfaces différentes. Vous ne pouvez pas les brancher, elles ne peuvent donc pas être utilisées si elles sont branchées durement. et sous tension, la mémoire sera brûlée et la carte mère.
3. La DDR4 est une nouvelle génération de mémoire. Elle n'est pas encore populaire et est actuellement très rapide. Elle ne peut être utilisée que sur les cartes mères Intel X99, elle ne peut donc pas être partagée sur la même machine. Clé mémoire La clé mémoire est un composant informatique que le processeur peut adresser via le bus et effectuer des opérations de lecture et d'écriture. Les clés USB étaient autrefois une extension de la mémoire principale dans l’histoire des ordinateurs personnels.
4. La DDR4 a une synchronisation et une latence inférieures à la DDR3, ce qui signifie qu'elle peut répondre plus rapidement aux instructions du processeur et des autres composants matériels. Capacité et densité La DDR4 a une densité de mémoire plus élevée que la DDR3, ce qui peut fournir une plus grande capacité de mémoire dans le même espace physique.
Quelle est la différence entre la DDR3 et la DDR4 ?
Quelle est la différence entre la mémoire DDR3 et la mémoire DDR4 La DDR3 et la DDR4 sont deux types de mémoire différents, la différence entre elles réside principalement dans les aspects suivants : fréquence et bande passante La DDR4 a une vitesse d'horloge interne plus rapide que la DDR3, elle peut donc fournir une bande passante plus élevée à la même fréquence de fonctionnement.
L'éditeur ici vous présentera la différence entre les clés mémoire DDR3 et DDR4. Modifications de la capacité de la clé mémoire La mémoire DDR4 a une plus grande capacité. La mémoire DDR4 utilise la technologie de signalisation différentielle (DiffrentialSignaling) et la technologie d'empilement tridimensionnel (3DS).
Samsung Electronics a achevé la première mémoire DDR4 de l'histoire. Les plus grandes différences entre la DDR4 et la DDR3 sont au nombre de trois : mécanisme de prélecture 16 bits (la DDR3 est de 8 bits), la vitesse théorique est deux fois supérieure à celle de la DDR3 à la même fréquence de base, des spécifications de transmission plus fiables, la fiabilité des données est encore améliorée ; est réduit à 2V. Plus économe en énergie.
La tension standard est différente. La tension standard de la mémoire DDR3 est de 5 V, tandis que la tension standard de la mémoire DDR4 est de 2 V. La capacité d'une seule mémoire est également différente. La capacité commune de la DDR3 est de 512 Mo à 8 Go. 16 Go de DDR3 sont assez rares et les capacités des bandes DDR4 sont de 4 Go, 8 Go et 16 Go.
Votre carte mère ne peut pas installer de mémoire DDR4, car la DDR4 et la DDR3 ont des tensions différentes, des fréquences différentes, des apparences différentes et des interfaces différentes. Vous ne pouvez pas les brancher, elles ne peuvent donc pas être utilisées si elles sont branchées durement. Allumé, la mémoire et la carte mère seront brûlées.
Comment distinguer les modules de mémoire de deuxième, troisième et quatrième génération
Vérification du logiciel : cliquez pour détecter le logiciel, cliquez sur détection du matériel. Cliquez sur les informations sur la mémoire à gauche et vous verrez l'algèbre à droite. Par exemple, la DDR4 ici est la mémoire de quatrième génération.
Les différences entre les cartes mémoire DDR1, DDR2, DDR3 et DDR4 sont : des fonctions différentes, des taux de transmission différents et des tensions et fréquences différentes. Différentes fonctions DDR1 : la DDR1 peut lire ou écrire 2 fois en un seul cycle.
Il existe trois méthodes de base pour vérifier la génération d'un module de mémoire : Vérifiez le manuel : S'il s'agit d'un ordinateur de marque, il sera généralement accompagné d'un manuel de l'ordinateur ou d'une liste de configuration matérielle détaillée, à partir de laquelle le modèle de mémoire peut être déterminé. .
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