Phison a annoncé le lancement de 4 solutions de contrôle principal UFS, couvrant l'entrée de gamme des gammes de produits phares de téléphonie mobile

Selon l'actualité du 31 janvier, Phison a récemment annoncé le lancement de 4 nouvelles solutions de stockage UFS pour l'ensemble des marchés de la téléphonie mobile.

Les informations pertinentes sont compilées comme suit : PS8327 : maître UFS 2.2 22 nm, positionné sur le marché de la téléphonie mobile 5G d'entrée de gamme, avec une capacité de mémoire flash maximale de 256 Go, équipé d'une correction d'erreur LDPC ECC de 4 Ko de sixième génération, et peut atteindre UFS 2.2 à une vitesse maximale de 1 000 Mo avec un seul canal de 64 Go/s PS8329 : maître UFS 3.1 de 22 nm, positionné sur le marché des téléphones mobiles de milieu de gamme avec des performances de coût élevées, équipé d'une correction d'erreur LDPC de 4 Ko, jusqu'à à 2 000 Mo/s en lecture et écriture séquentielles sur un seul canal, et prévoit de commencer à fournir des échantillons en juin de cette année PS8325 : maître UFS 3.1 12 nm, positionné sur le marché de la téléphonie mobile haut de gamme, conception à 2 canaux, prend en charge 1 To NAND ; particules, capacité de mémoire flash maximale de 1 To, équipée d'une correction d'erreur LDPC ECC de 4 Ko de sixième génération, et devrait commencer la production de masse ce trimestre PS8361 : contrôleur principal UFS 4.0 12 nm, positionné sur le marché phare de la téléphonie mobile, avec 4- ; conception de canal, capacité de mémoire flash maximale de 1 To, équipée d'une correction d'erreur LDPC + RAID ECC de sixième génération, vitesses de lecture et d'écriture séquentielles de plus de 4 000 Mo/s, et devrait commencer à être expédiée au second semestre de cette année. Selon le site officiel de Phison, il a déjà lancé un contrôleur maître UFS 3.0 PS8317. Le contrôleur maître adopte une conception à 2 canaux et prend en charge une vitesse d'interface de mémoire flash allant jusqu'à 1 200 MT/s et une vitesse de lecture et d'écriture séquentielle allant jusqu'à 1 200 MT/s. 1750/810 Mo/s.

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