Renesas Electronics annonce l'acquisition de Transphorm pour 339 millions de dollars afin d'étendre la gamme de produits GaN en nitrure de gallium

Renesas Electronics a annoncé l'acquisition de Transphorm, un fournisseur américain de semi-conducteurs de puissance GaN, au prix de 5,10 dollars américains par action pour un total de 339 millions de dollars américains (environ 2,434 milliards de yuans). Ce prix d'achat représente une prime d'environ 35% par rapport au cours de clôture du 10 janvier.

A déclaré officiellement que l'acquisition donnera à Renesas l'accès à la technologie interne GaN et élargira encore sa portée commerciale sur des marchés à croissance rapide, notamment les véhicules électriques, l'informatique, les énergies renouvelables, les alimentations industrielles et les chargeurs rapides. /champs adaptateur.

La technologie GaN présente des fréquences de commutation plus élevées, des pertes de puissance inférieures et des facteurs de forme plus petits, ce qui se traduit par des structures plus efficaces et plus légères et des coûts globaux inférieurs. Selon une étude de l’industrie, la demande de GaN devrait croître de plus de 50 % par an.

Renesas a annoncé qu'elle développerait de nouvelles solutions d'alimentation améliorées utilisant la technologie GaN de qualité automobile de Transphorm. Il s'agit notamment de solutions de groupe motopropulseur X-en-1 pour véhicules électriques, ainsi que d'autres solutions pour les applications informatiques, énergétiques, industrielles et grand public. Cela stimulera davantage l’efficacité énergétique et l’amélioration des performances des véhicules électriques et dans tous les secteurs.

Renesas Electronics a également souligné qu'à mesure que la demande mondiale de systèmes électriques efficaces augmente, les industries connexes se tournent progressivement vers les matériaux à large bande interdite (WBG) représentés par le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Pour s'adapter à cette tendance, Renesas a mis en place une ligne de production interne de carbure de silicium (SiC) et a signé un accord de fourniture de plaquettes de carbure de silicium (SiC) d'une durée de 10 ans avec des fournisseurs. Cela contribuera à répondre à la demande du marché en matière de systèmes électriques efficaces et à promouvoir le développement des industries connexes.

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