Samsung devrait produire en masse la technologie de nœuds 3 nm/4 nm de nouvelle génération au cours du second semestre de l'année prochaine.

Selon les informations de ce site Web du 3 novembre, Samsung Electronics a révélé cette semaine aux investisseurs qu'elle allait faire la transition et promouvoir la technologie de photolithographie dans un avenir proche. Prévoyait de lancer la technologie de traitement 3 nm de deuxième génération (SF3) et une version de production de masse. le marché au second semestre 2024 Produits du procédé 4 nm (SF4X).

Source : Samsung Electronics

Une déclaration de la société a écrit :

Nous avons l'intention de démarrer la production en série du procédé 3 nm de deuxième génération et du procédé 4 nm de quatrième génération au cours de la seconde moitié de cette période. année, Pour que le calcul haute performance améliore encore notre compétitivité technologique

À mesure que la demande mobile rebondit et que la demande de calcul haute performance (HPC) continue de croître, le marché devrait connaître une tendance à la croissance

Note de ce site : Samsung sera bientôt lancé La technologie de traitement SF3 constitue une mise à niveau significative de son nœud de production SF3E existant. Selon les informations publiées jusqu'à présent, le nœud n'est utilisé que pour fabriquer de petites puces pour l'extraction de crypto-monnaie.

Samsung affirme que SF3 offrira une plus grande polyvalence de conception et pourra être utilisé dans le même type d'unité. Différentes largeurs de canaux de nanofeuilles sont fournis pour différents transistors toutes grilles (GAA).

Bien que Samsung n'ait pas comparé directement le SF3 et le SF3E, ils ont déclaré que le SF3 présentait des améliorations significatives pour la même puissance et la même complexité, comme une augmentation de 22 % des performances. De plus, à fréquence et nombre de transistors identiques, la consommation électrique est réduite de 34 % et la zone logique est également réduite de 21 %. Il convient de noter que Samsung a déclaré que ces améliorations sont relatives au SF4 (4LPP, niveau 4 nm, faible consommation d'énergie)

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