Samsung lance la DRAM HBM3E de nouvelle génération, Shinebolt mène l'innovation des centres de données IA

News le 21 octobre, Samsung a fait une grande apparition lors de l'événement Storage Technology Day d'aujourd'hui et a lancé une série de nouveaux produits, dont le HBM3E de nouvelle génération. La DRAM, nommée « Shinebolt », est conçue pour répondre aux besoins applicatifs des centres de données IA de nouvelle génération.

Selon l'éditeur, Samsung a déclaré que la DRAM "Shinebolt" HBM3E a une vitesse allant jusqu'à 9,8 Gbit/s par broche, ce qui apportera un étonnant 1,2 Avec un taux de transfert de Tb/s, cette technologie révolutionnaire devrait réduire le coût total de possession (TCO) des centres de données et améliorer considérablement l'efficacité des tâches de formation et d'inférence des modèles d'IA.

Afin d'obtenir davantage d'empilement de couches et d'améliorer les performances de dissipation thermique, Samsung a également optimisé la technologie de film non conducteur (NCF), qui réduira les écarts entre les couches de puces et maximisera la conductivité thermique.

En plus du « Shinebolt », Samsung a également annoncé sur place que ses 8H et 12H Les produits HBM3 sont actuellement produits en série et des échantillons « Shinebolt » ont commencé à être expédiés aux clients. En tant que fournisseur de solutions complètes dans le domaine des semi-conducteurs, Samsung prévoit de fournir à ses clients des services personnalisés à guichet unique combinant organiquement HBM de nouvelle génération, technologie d'emballage avancée et produits de fonderie.

Lors de cet événement, Samsung a également dévoilé un certain nombre d'autres nouveaux produits, notamment une DRAM DDR5 de 32 Go offrant la capacité la plus élevée du secteur, ainsi que la première mémoire DRAM DDR5 de 32 Gbit/s du secteur. GDDR7. En outre, ils ont également introduit le PBSSD au niveau du pétaoctet, qui améliore considérablement les capacités de stockage des applications serveur et fournit une prise en charge plus puissante pour les centres de données.

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