Samsung prévoit de produire en masse une mémoire flash V-NAND de neuvième génération avec plus de 300 couches au début de l'année prochaine, prétendant avoir le plus grand nombre de couches du secteur.

Nouvelles de ce site le 19 octobre. Samsung est le plus grand fournisseur mondial de mémoire flash NAND et a des projets ambitieux pour le développement de sa V-NAND (ce que Samsung appelle 3D NAND). La société a confirmé qu'elle était sur la bonne voie pour produire sa mémoire flash V-NAND de neuvième génération avec plus de 300 couches, affirmant qu'il s'agirait de la mémoire NAND 3D la plus élevée du secteur.

"La V-NAND de neuvième génération est basée sur une structure à double couche, le nombre de couches atteignant le plus haut niveau de l'industrie. La production de masse commencera au début de l'année prochaine." Bae, président de Samsung Electronics et responsable de l'unité commerciale mémoire) a écrit dans un article de blog.

Ce site a remarqué qu'en août, il y avait des nouvelles selon lesquelles Samsung développait une V-NAND de neuvième génération avec plus de 300 couches et continuerait à utiliser la technologie double couche utilisée pour la première fois par Samsung en 2020. Et Samsung affirme maintenant que sa NAND 3D aura des couches plus efficaces que ses concurrents. Nous savons actuellement que la NAND 3D de nouvelle génération de SK Hynix aura 321 couches, donc la V-NAND de neuvième génération de Samsung devrait avoir encore plus de couches.

L'augmentation du nombre de couches permettra à Samsung d'augmenter la densité de stockage de ses appareils 3D NAND. La société s'attend à ce que les futurs types de mémoire flash augmentent non seulement la densité de stockage, mais améliorent également les performances.

"Samsung travaille également sur des technologies créatrices de valeur de nouvelle génération, notamment une nouvelle structure capable de maximiser la vitesse d'entrée/sortie (E/S) de la V-NAND", a déclaré Lee Jung-bae.

On ne sait pas encore ce que fera la V-NAND de neuvième génération de Samsung en termes de performances, mais on pense que la société utilisera cette mémoire pour produire ses prochains disques SSD, éventuellement en utilisant l'interface PCIe Gen5.

En ce qui concerne l'innovation technologique à plus long terme, Samsung s'engage à minimiser les interférences cellulaires, à réduire la hauteur et à maximiser le nombre de couches verticales, ce qui lui permettra d'atteindre la plus petite taille de cellule du secteur. Ces innovations joueront un rôle clé dans l'avancement de la vision de Samsung en matière de NAND 3D, avec plus de 1 000 couches et des solutions de mémoire hautement différenciées.

Déclaration publicitaire : les liens de saut externes (y compris, mais sans s'y limiter, les hyperliens, les codes QR, les mots de passe, etc.) contenus dans l'article sont utilisés pour transmettre plus d'informations et gagner du temps de sélection. Les résultats sont à titre de référence uniquement. ce site contient cette déclaration.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!