Samsung fournit un échantillon de mémoire HBM3E « Shinebolt » avec une bande passante allant jusqu'à 1,228 To/s

Samsung a récemment confirmé que son produit HBM3E de cinquième génération s'appellerait "Shinebolt", ce qui est selon les médias coréens businesskorea news. fournir aux clients un échantillon nommé « Shinebolt » est fourni pour les tests de qualité. L'exemple de spécification est de 24 Go à 8 couches. En outre, Samsung prévoit également d'achever bientôt le développement de produits à 12 couches de 36 Go

La vitesse maximale de transfert de données (bande passante) de Shinebolt est d'environ 50 % supérieure à celle du HBM3, atteignant 1,228 To/s, bien que la vitesse de développement et de production du HBM de Samsung est à un certain niveau Il est dans une certaine mesure en retard sur SK Hynix, mais Samsung envisage toujours de retrouver sa position de leader dans la production de mémoire avancée. La clé de HBM réside dans la manière dont chaque couche est connectée. Samsung utilise le procédé de film non conducteur à compression thermique (TC-NCF), tandis que SK Hynix utilise le procédé de remplissage moulé par refusion de masse (MR-MUF). Cependant, le marché doit encore juger quel processus est le meilleur.

Étant donné que Samsung était à la traîne de SK Hynix en termes de vitesse de développement et de production de HBM, ils ont commencé à reformuler leur stratégie pour regagner des parts de marché. Actuellement, Samsung envisage d'accélérer le développement du processus de « connexion hybride » de HBM pour changer les règles du jeu.

Ce site a également découvert que le président de Samsung Memory Business, Lee Jung-pei, avait précédemment déclaré : « Nous produisons actuellement du HBM3 et avons réussi a développé le produit de nouvelle génération HBM3E. Nous allons étendre davantage la production de HBM pour répondre aux besoins des clients. "

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