Samsung remporte une nouvelle commande de fonderie de puces de serveur hautes performances 3 nm

Samsung Electronics a commencé la production en série de puces 3 nm en juin de l'année dernière, mais il n'y avait que quelques clients. La source des commandes qui ont été révélées jusqu'à présent semble être uniquement un client chinois anonyme

La société coréenne de conception de semi-conducteurs AD Technology a annoncé avoir signé un contrat avec un client étranger pour la conception de puces orientées serveur basées sur le processus 3 nm de Samsung. projet. C'est également la première fois que Samsung Electronics confirme avoir obtenu des clients 3 nm par l'intermédiaire d'une société de conception.

ADTechnology n'a pas divulgué l'identité du client, mais il est dit que le client est une société américaine de puces de calcul haute performance (HPC)

Gibong Jeong, vice-président exécutif et chef de l'équipe de développement commercial de l'activité fonderie de Samsung unité, a déclaré : « Nous sommes très heureux d'annoncer la collaboration avec notre partenaire fiable ADTechnology sur le projet de conception en 3 nm. Nos efforts conjoints serviront d'excellent exemple de collaboration au sein de l'écosystème SAFE et nous attendons avec impatience l'opportunité de travailler plus étroitement pour offrir l'excellence à nos clients. "Ce projet 3 nm deviendra l'un des produits ASIC les plus importants de l'industrie. Je pense que cette expérience de conception 3 nm et 2,5D nous différenciera des autres concurrents. " pour fournir aux clients des solutions de conception de haute qualité. "

Différent de l'architecture FinFET utilisée dans les processus 7 nm, 5 nm et autres, la technologie de processus 3 nm de Samsung Electronics. Le premier à adopter le transistor à grille polyvalent GAA. architecture.

Samsung Electronics a déclaré que par rapport au 5 nm, les puces fabriquées par leur technologie de processus 3 nm de première génération ont atteint une amélioration de l'efficacité énergétique de 45 %, une amélioration des performances de 23 % et un rétrécissement de la surface (PPA) de 16 %. De plus, le processus SF3 de nouvelle génération 3 nm de Samsung a obtenu une augmentation de fréquence de 22 %, une amélioration de l'efficacité énergétique de 34 % et une réduction de surface de 21 % par rapport à la plate-forme FinFET 4 nm

Samsung se concentrera sur la production 3 nm en 2023-2024, à savoir SF3 (3GAP ) et sa version améliorée SF3P (3GAP+), son rendement de production peut être maintenu dans un premier temps entre 60 et 70 %, et la société prévoit également de commencer à lancer son nœud de niveau 2 nm en 2025-2026.

Après que Samsung et TSMC soient entrés dans l'ère du processus 3 nm, le processus 3 nm deviendra le courant dominant du marché de la fonderie à l'avenir. Par conséquent, on s'attend à ce que d'ici 2025, la valeur de la production du marché des procédés 3 nm atteigne 25,5 milliards de dollars américains (remarque sur ce site : actuellement environ 176,205 milliards de yuans), dépassant la valeur de production estimée de 19,3 milliards de dollars américains à l'heure actuelle. le temps de 5nm.

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Selon les données de l'agence d'études de marché TrendForce, au troisième trimestre 2022, TSMC occupait toujours 53,4% de la part de marché sur le marché mondial de la fonderie de plaquettes, se classant fermement au premier rang. position, tandis que Samsung se classe deuxième avec une part de marché de seulement 16,4 %. Par conséquent, dans un contexte de concurrence féroce sur le marché, le processus 3 nm deviendra la clé de la principale concurrence entre les deux sociétés à l'avenir.

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"Il est rapporté que le taux de rendement 3 nm de Samsung et TSMC est d'environ 50 %, ce qui est devrait affecter la concurrence des commandes l'année prochaine"

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