Une équipe de recherche japonaise crée un nouveau matériau tellurure de niobium, qui devrait être utilisé comme matière première pour la mémoire à changement de phase afin de réduire les coûts de production

Nouvelles de ce site Web le 5 septembre selon lesquelles des chercheurs de l'Université de Tohoku au Japon ont récemment utilisé la technologie de pulvérisation cathodique pour créer un matériau de tellurure de niobium (NbTe4). Il est rapporté que ce matériau possède « d'excellentes propriétés de stockage et thermiques » et devrait être utilisé en phase. la mémoire de changement est en cours de fabrication, offrant ainsi à l'industrie davantage de choix de matières premières et réduisant les coûts associés. L'article a été publié et archivé sur la plateforme de bibliothèque en ligne.

Après des recherches sur ce site Web, nous avons appris que la mémoire à changement de phase (PCM) est une technologie de mémoire qui « applique des matériaux à changement de phase comme support de stockage ». Par rapport à la mémoire flash actuelle, la mémoire à changement de phase change grâce à l'état solide et liquide de celui-ci. matériaux à changement de phase pour enregistrer des données (la vitesse d'écriture de la mémoire flash est limitée par la vitesse de mouvement de la charge), de sorte que sa vitesse de lecture et d'écriture est plus rapide, la densité de stockage est plus élevée, la consommation d'énergie est inférieure et la taille peut être. plus petit, mais fabrication de supports de mémoire à changement de phase Le coût est trop élevé. Actuellement, la mémoire à changement de phase est encore au niveau de l'entreprise et n'a pas encore été commercialisée sur le marché domestique.

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Les chercheurs utilisent la technologie de pulvérisation cathodique pour fabriquer des matériaux. Il est rapporté que « la pulvérisation cathodique est une technologie largement utilisée qui dépose principalement un mince film de matériau sur un substrat, obtenant ainsi une précision. contrôle de l'épaisseur et de la composition du film. Les chercheurs ont recuit à une température supérieure à 272 ºC pour former des cristaux de tellurure de niobium (NbTe4). Ce matériau a un point de fusion ultra-bas d'environ 447 ºC et est donc relativement stable physiquement et adapté à la fabrication de mémoires à changement de phase.

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Les chercheurs ont évalué le cristal et on dit que par rapport aux composés à mémoire de changement de phase traditionnels, le cristal NbTe4 a une meilleure stabilité thermique élevée et une vitesse de cristallisation à l'état liquide est également assez rapide (environ 30 nanosecondes), mettant en évidence son potentiel en tant que matière première pour la mémoire à changement de phase.

Shuang, professeur adjoint à l'Institut des sciences des matériaux avancés de la Northeastern University, a déclaré : « Nous avons ouvert de nouvelles possibilités pour le développement de mémoires à changement de phase hautes performances. Le NbTe4 a un point de fusion bas, une température de cristallisation élevée et une excellente conversion. performances, qui est une solution aux problèmes actuels de mémoire à changement de phase. « L'un des matériaux idéaux » face aux défis de coût. "

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