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Recherche sur le principe de mise en œuvre et la stratégie d'optimisation des performances du double tampon d'écriture dans MySQL

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2023-07-25 10:29:171223parcourir

Exploration des principes de mise en œuvre et des stratégies d'optimisation des performances de la mise en mémoire tampon à double écriture dans MySQL

Résumé : Dans la base de données MySQL, la mise en mémoire tampon à double écriture est un mécanisme utilisé pour améliorer la cohérence des données et réduire l'impact des performances d'écriture. Cet article présentera les principes de base de la double mise en mémoire tampon d'écriture, analysera son impact sur les performances et proposera quelques stratégies d'optimisation.

1. Le principe de base de la mise en mémoire tampon à double écriture

Lorsque MySQL effectue une opération d'écriture, si la mise en mémoire tampon à double écriture est activée, il écrira les données à deux emplacements différents sur le disque : dans le pool de mémoire tampon d'InnoDB. moteur et vidé de manière asynchrone dans le tampon de double écriture du disque. Ce mécanisme peut améliorer les performances d'écriture et garantir la cohérence des données.

Le principe de mise en œuvre de la double mise en mémoire tampon d'écriture est le suivant :

  1. Tout d'abord, MySQL ajoute des opérations d'écriture au pool de mémoire tampon du moteur InnoDB, ce qui peut réduire les opérations d'E/S sur le disque et améliorer les performances d'écriture.
  2. Ensuite, MySQL écrit simultanément l'opération d'écriture dans le tampon d'écriture double sur le disque, qui est un tampon de taille fixe.
  3. Lorsque le tampon de double écriture atteint une certaine taille (peut être configurée par le paramètre innodb_doublewrite_buffer_size) ou atteint un certain intervalle de temps (peut être configuré par le paramètre innodb_doublewrite_flush_interval), MySQL videra les données du tampon de double écriture dans le disque.

2. L'impact de la double mise en mémoire tampon d'écriture sur les performances

Bien que la double mise en mémoire tampon d'écriture puisse améliorer les performances d'écriture, elle aura également un certain impact sur les performances globales. Premièrement, la mise en mémoire tampon de double écriture consomme des ressources mémoire supplémentaires, ce qui peut entraîner des contraintes de mémoire, notamment dans le cas d'écritures simultanées élevées. Deuxièmement, la mise en mémoire tampon à double écriture augmentera le nombre d'opérations d'E/S sur disque, en particulier lors du vidage du tampon à double écriture, ce qui occupera une certaine quantité de bande passante du disque et de temps de lecture et d'écriture du disque.

Afin de réduire l'impact du tampon de double écriture sur les performances, les stratégies d'optimisation suivantes peuvent être adoptées :

  1. Augmenter la taille du tampon de double écriture : Vous pouvez augmenter la taille du tampon de double écriture en augmentant la valeur du paramètre innodb_doublewrite_buffer_size, qui peut réduire les temps de vidage du tampon d'écriture double pour améliorer les performances. Cependant, il convient de noter que la taille du tampon de double écriture occupera également certaines ressources mémoire.
  2. Ajuster la stratégie de rafraîchissement du tampon de double écriture : Vous pouvez ajuster la stratégie de rafraîchissement du tampon de double écriture en augmentant la valeur du paramètre innodb_doublewrite_flush_interval, réduisant ainsi le nombre de fois où le tampon de double écriture est vidé. Cependant, si ce paramètre est trop grand, cela peut entraîner des problèmes de cohérence des données.
  3. Utiliser l'écriture non immersive : dans chaque version d'InnoDB, le mécanisme d'écriture immersive (journalisation d'écriture anticipée) est utilisé par défaut, ce qui signifie que la page de données est mise à jour après l'écriture du journal. Cependant, si la valeur du paramètre innodb_flush_log_at_trx_commit est définie sur 0, les opérations de vidage d'écriture de journaux et de pages de données peuvent être combinées, réduisant ainsi les opérations de vidage supplémentaires.
  4. Concevez correctement l'environnement matériel : si un dépassement de tampon en double écriture se produit, cela peut être dû à un environnement matériel insuffisant. Lors de la conception de l'environnement matériel, la capacité du disque dur et la bande passante du disque doivent être prises en compte pour garantir que les exigences de double mémoire tampon d'écriture peuvent être respectées.

Ce qui suit est un exemple de code simple qui montre comment afficher et modifier les paramètres liés à la mise en mémoire tampon en double écriture dans MySQL :

-- 查看双写缓冲相关的参数
SHOW VARIABLES LIKE 'innodb_doublewrite%';

-- 修改双写缓冲相关的参数
SET GLOBAL innodb_doublewrite_buffer_size = 16777216;
SET GLOBAL innodb_doublewrite_flush_interval = 200;

Conclusion : la mise en mémoire tampon en double écriture est un mécanisme important dans MySQL pour garantir la cohérence des données et améliorer les performances d'écriture. . En ajustant correctement les paramètres liés à la mise en mémoire tampon à double écriture, l'impact sur les performances peut être réduit et les performances globales du système peuvent être améliorées. Dans les applications pratiques, des stratégies d'optimisation appropriées doivent être sélectionnées en fonction des besoins spécifiques de l'entreprise et de l'environnement matériel.

Référence :

  1. Manuel de référence MySQL - Configuration du moteur de stockage InnoDB : https://dev.mysql.com/doc/refman/8.0/en/innodb-parameters.html
  2. Blog sur les performances MySQL - Comprendre la double écriture InnoDB : https ://www.percona.com/blog/2016/07/20/understanding-innodb_doublewrite/
  3. VividCortex - Devriez-vous désactiver innodb_doublewrite https://www.vividcortex.com/blog/should-you-disable-innodb - double écriture

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