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Quelle est la signification chinoise de la mémoire DRAM ?

藏色散人
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2020-02-06 17:36:2749106parcourir

La signification chinoise de la mémoire DRAM est mémoire vive dynamique ; la mémoire vive statique est divisée en mémoire vive statique et mémoire vive dynamique, le principe principal de la mémoire DRAM est d'utiliser la quantité de charge stockée dans le condensateur pour représenter si un bit binaire est 1 ou 1 0.

Quelle est la signification chinoise de la mémoire DRAM ?

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Quelle est la signification chinoise de la mémoire DRAM ?

La signification chinoise de la mémoire DRAM est Mémoire dynamique à accès aléatoire.

La mémoire vive (RAM) est divisée en mémoire vive statique et mémoire vive dynamique. Mémoire statique à accès aléatoire : vitesse de lecture et d'écriture rapide, coût de production élevé, principalement utilisée pour la mémoire cache de petite capacité. Mémoire vive dynamique : vitesse de lecture et d'écriture lente, hautement intégrée et principalement utilisée pour la mémoire principale de plus grande capacité.

Introduction à la DRAM :

La mémoire vive dynamique (DRAM) est un type de mémoire à semi-conducteurs. Le principe d'action principal est d'utiliser des condensateurs pour stocker les charges. de bits représente si un bit binaire (bit) est 1 ou 0. Étant donné que les transistors ont en réalité un courant de fuite, la quantité de charge stockée sur le condensateur n'est pas suffisante pour déterminer correctement les données, ce qui entraîne une corruption des données.

Par conséquent, une charge périodique est une exigence inévitable pour la DRAM. En raison de cette caractéristique qui nécessite un rafraîchissement périodique, on parle de mémoire « dynamique ». Relativement parlant, tant que la mémoire statique (SRAM) stocke les données, la mémoire ne sera pas perdue même si elle n'est pas actualisée.

Par rapport à la SRAM, l'avantage de la DRAM est sa structure simple : chaque bit de données n'a besoin que d'un seul condensateur et d'un transistor pour être traité, par rapport à la SRAM, qui nécessite généralement six transistors par bit. Pour cette raison, la DRAM présente une très haute densité, une capacité par unité de volume élevée et donc un faible coût. Mais au contraire, la DRAM présente également les inconvénients d’une vitesse d’accès lente et d’une consommation d’énergie élevée.

Comme la plupart des mémoires vives (RAM), la DRAM est un périphérique de mémoire volatile car les données qui y sont stockées disparaîtront peu de temps après la coupure de courant.

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