Pourquoi « sync.Once » utilise-t-il des opérations atomiques comme « atomic.StoreUint32 » au lieu d'une simple affectation ?

Pourquoi utiliser les opérations atomiques dans Sync.Once au lieu d'une affectation normale ?

Le modèle de concurrence Go nécessite l'utilisation d'opérations atomiques même si elles sont sous-jacentes les primitives de la machine sont atomiques, garantissant l'exactitude dans toutes les architectures prises en charge.

Dans sync.Once, l'opération atomic.StoreUint32 est utilisée pour définir l'indicateur terminé après l'exécution de la fonction f. Cela garantit que les autres goroutines observent les effets de f avant que l'indicateur de fin soit défini sur 1.

Avantages des opérations atomiques :

1. Sécurité : Les opérations atomiques garantissent que l'écriture est effectuée comme un événement unique et ininterrompu, empêchant la corruption des données.
2. Optimisation : Dans le chemin rapide, l'indicateur terminé est accessible sans acquérir de verrou. Les opérations atomiques permettent cette optimisation tout en maintenant la sécurité.

Différences entre les opérations atomiques et les affectations normales :

1. Garanties : Les opérations atomiques offrent des garanties plus solides que les missions normales. Ils garantissent que les autres threads observeront l'écriture une fois celle-ci effectuée.
2. Performance : les opérations atomiques peuvent être plus efficaces que l'acquisition d'un verrou et l'exécution d'une affectation normale.

Pourquoi retarder atomic.StoreUint32 dans doSlow ?

L'opération atomic.StoreUint32 est retardée dans doSlow pour garantir que f a été exécuté avant que l'indicateur de fin ne soit défini. En effet, f peut être une fonction de longue durée et définir l'indicateur done trop tôt pourrait empêcher d'autres goroutines d'accéder aux ressources nécessaires.

En résumé, sync.Once utilise atomic.StoreUint32 au lieu de o.done = 1 pour garantir la sécurité, optimiser les performances et maintenir l'exactitude sur toutes les architectures prises en charge avec des modèles de mémoire faibles.

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