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Il est rapporté que le PDG d'Intel, Pat Gelsinger, prononcera pour la première fois un discours en séance plénière à l'ISSCC l'année prochaine pour présenter les progrès de la fonderie.

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2024-08-10 07:42:021038parcourir

Selon les informations de ce site du 9 août, le média coréen "Chosun Ilbo" a rapporté que le PDG d'Intel, Pat Kissinger, assisterait à la prochaine conférence internationale sur les semi-conducteurs de l'IEEE ISSCC à San Francisco du 16 au 20 février 2025, heure locale, et Circuit Conference. prononcera pour la première fois un discours d'ouverture lors de la session plénière de l'ISSCC.

消息称英特尔 CEO 帕特・基辛格明年将首度于 ISSCC 发表全会演讲,介绍代工进展

Notes de ce site :

Les intervenants de la session plénière de l'ISSCC 2024 incluent Zhang Xiaoqiang, directeur général adjoint de TSMC, etc. ;
À l'ISSCC 2023, le PDG d'AMD, Su Zifeng, le directeur de la stratégie d'Imec, Jo De Boeck, etc. prononcé des discours en plénière.

Il semblerait que les intervenants des séances plénières d'Intel présenteraient principalement les technologies liées aux processeurs lors de la conférence ISSCC, mais le discours de Pat Gelsinger, qui sera publié l'année prochaine, se concentrera sur la stratégie IDM 2.0 d'Intel.

Les médias coréens s'attendent à ce que Pat Kissinger se concentre sur la discussion sur la technologie et la feuille de route des processus de fonderie de semi-conducteurs d'Intel, et attire activement les clients en démontrant la compétitivité des fonderies d'Intel pour améliorer la rentabilité des activités associées et inverser le déclin actuel—— La perte d'exploitation de l'unité de fonderie d'Intel a augmenté de 50% sur un an au deuxième trimestre.

En plus d'Intel, un représentant de Samsung Electronics prononcera également un discours en plénière à l'IEEE ISSCC 2025. Le candidat spécifique est Lee Jung-Bae, président et directeur général de l'activité mémoire de la division DS de Samsung Electronics.

消息称英特尔 CEO 帕特・基辛格明年将首度于 ISSCC 发表全会演讲,介绍代工进展

Le discours de Lee Jung-bae devrait couvrir les solutions de stockage de nouvelle génération telles que la DRAM 3D et la mémoire CXL de Samsung Electronics.

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