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imec a utilisé avec succès la machine de lithographie ASML High NA EUV pour modéliser les structures logiques et DRAM pour la première fois

王林
王林original
2024-08-08 15:03:521239parcourir

Nouvelles de ce site le 8 août, le Centre belge de recherche en microélectronique imec a annoncé hier (heure locale) que son laboratoire de lithographie High NA EUV, en coopération avec ASML, a utilisé avec succès la machine de lithographie High NA EUV pour exposer la structure des modèles de logique et de DRAM pour le première fois. . En termes de modèles logiques, imec a réussi à modéliser un mécanisme logique aléatoire à exposition unique, obtenant des lignes métalliques denses de 9,5 nm (remarque sur ce site : correspondant à un pas de 19 nm), réduisant la taille du pas de bout en bout à moins de 20 nm :

imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化

▲ Fil métallique dense. Source de l'image imec, la même ci-dessous Non seulement cela, imec a réalisé des trous aléatoires avec un espacement central de 30 nm, montrant une excellente fidélité du motif et une cohérence des dimensions critiques :

imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化

▲ Des trous aléatoires De plus, imec a passé avec succès la lithographie EUV High NA La machine a construit des caractéristiques bidimensionnelles avec un pas de P22nm, montrant le potentiel de la nouvelle génération de technologie de photolithographie dans le câblage bidimensionnel :

imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化


▲ Caractéristiques bidimensionnelles Dans le domaine de la DRAM, imec a réussi à modéliser le SNLP intégré (Storage Node Landing Pad) et la conception de la DRAM autour de la ligne de bits, démontrant la capacité de l'EUV High NA à réduire le nombre d'expositions :

imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化


▲ Conception de la DRAM Luc Van den hove, président-directeur général d'imec, a déclaré :
Ces résultats confirment que la technologie de lithographie EUV High NA a toujours prédit la capacité de résolution, qui permet d'obtenir des couches métalliques avec un pas inférieur à 20 nm en une seule exposition.
Par conséquent, l'EUV High NA jouera un rôle clé dans la mise à l'échelle des technologies de logique et de mémoire, qui est l'un des piliers importants pour faire avancer la feuille de route vers « l'ère Ami ».
Ces premières démonstrations sont rendues possibles grâce à la création du laboratoire commun ASML-imec, qui permet à nos partenaires d'accélérer l'introduction de la lithographie High NA dans la fabrication.

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