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Les puces HBM3E à 8 couches de Samsung surmontent les obstacles en matière de chaleur et d'énergie pour obtenir l'approbation de Nvidia

王林
王林original
2024-08-07 19:20:23576parcourir

Samsung's 8-layer HBM3E chips overcome heat and power hurdles to secure Nvidia's approval

Samsung Electronics a passé avec succès les tests rigoureux de Nvidia pour ses puces mémoire HBM3E à 8 couches, se positionnant ainsi comme un fournisseur clé pour le secteur en croissance rapide des puces IA. HBM, ou High Bandwidth Memory, est un type spécialisé de DRAM conçu pour gérer des quantités massives de données à une vitesse fulgurante. Il s’agit d’un composant crucial pour alimenter les calculs complexes requis pour les applications d’intelligence artificielle. HBM3E, la dernière itération, offre des performances et une efficacité énergétique encore supérieures à celles du HBM3.

Obtenir l'approbation de Nvidia était un obstacle pour Samsung, qui avait déjà été confronté à des défis liés à la consommation de chaleur et d'énergie de ses puces HBM. La société a depuis résolu ces problèmes pour répondre aux normes de Nvidia, à mesure que les applications d'IA deviennent de plus en plus exigeantes. Samsung, aux côtés de sociétés comme SK Hynix et Micron, se bat pour répondre à cette demande.

Alors que les puces HBM3E à 12 couches de Samsung sont encore en cours d'évaluation, l'approbation de la version à 8 couches est malgré tout un pas en avant pour l'entreprise. Nvidia a également récemment autorisé pour la première fois les puces de mémoire à large bande passante de quatrième génération de Samsung, HBM3. Cependant, Reuters avait précédemment déclaré que les puces ne seraient probablement utilisées que dans les cartes graphiques Nvidia spécifiques à la Chine.

Samsung's 8-layer HBM3E chips overcome heat and power hurdles to secure Nvidia's approval

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