SK Hynix présentera de nouveaux produits liés à l'IA le 6 août : HBM3E à 12 couches, NAND à 321 hauteurs, etc.

Selon les informations de ce site le 1er août, SK Hynix a publié un article de blog aujourd'hui (1er août), annonçant sa participation au Global Semiconductor Memory Summit FMS 2024 qui se tiendra à Santa Clara, Californie, États-Unis, du 6 au 8 août. , pour démontrer de nombreux produits de nouvelle génération.

Introduction à la mémoire et au stockage futurs

Anciennement connu sous le nom de Flash Memory Summit, qui s'adressait principalement aux fournisseurs de NAND Dans le contexte de l'attention croissante portée à la technologie de l'intelligence artificielle, il a été rebaptisé cette année Future Memory and Storage Summit (Future. Mémoire et stockage) pour inviter davantage de participants tels que des fournisseurs de DRAM et de stockage.

Nouveaux produits

SK Hynix a annoncé le développement de la NAND à 321 couches la plus élevée de l'industrie lors de l'événement FMS de l'année dernière, elle présentera également de nombreux nouveaux produits dans le domaine de l'IA, notamment le HBM3E à 12 couches (qui devrait le faire). sera produit en série au troisième trimestre) et 321 -high NAND (commencera à être expédié au premier semestre de l'année prochaine). Attachés à ce site se trouvent les nouveaux produits que SK Hynix présentera bientôt :

En partant du coin supérieur gauche et dans le sens des aiguilles d'une montre, il s'agit d'une mémoire flash NAND à 321 couches, ZUFS 4.0, PS1010 et PCB01

Début en haut à gauche et dans le sens des aiguilles d'une montre. Discours pour LPDDR5T, HBM3E, CMS 2.0 et GDDR6-AiM

Le directeur de l'intégration des processus de SK hynix HBM, Unoh Kwon, et le directeur du SSD PMO, Chunsung Kim, prononceront un discours intitulé "Solutions de mémoire et de stockage IA dans le Artificial Intelligence Era" lors de la cérémonie d'ouverture de l'événement. Discours d'ouverture sur le leadership et la vision.

Les deux dirigeants présenteront les portefeuilles de produits DRAM et NAND de l'entreprise, ainsi que les solutions de mémoire d'intelligence artificielle optimisées pour l'intelligence artificielle.

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