Il est rapporté que la mémoire flash Samsung Electronics V9 QLC NAND n'a pas encore reçu de licence prête pour la production de masse, ce qui affecte la planification de l'usine Pyeongtaek P4.

Selon les informations de ce site du 31 juillet, le média coréen ZDNet Korea a rapporté que la version QLC de la mémoire flash NAND V9 de Samsung Electronics n'a pas encore obtenu de licence de production de masse, ce qui a affecté la planification de la construction de la ligne de production de l'usine P4 de Pyeongtaek. Samsung Electronics a annoncé en avril de cette année que la version TLC d'une capacité de 1 To de sa mémoire flash NAND V9 avait atteint la production de masse, et que la version QLC correspondante entrerait en production de masse au second semestre de cette année. Cependant, jusqu'à présent, Samsung Electronics n'a pas délivré de licence PRA (note de ce site : doit faire référence à l'approbation de préparation à la production) prête pour la production de masse pour la mémoire flash V9 QLC NAND. La mémoire flash QLC avec une capacité plus élevée et un coût inférieur est actuellement le point chaud pour les besoins de stockage des serveurs d'inférence IA. L'avenir incertain des produits phares a conduit à des opinions divergentes au sein de Samsung Electronics sur l'opportunité d'utiliser entièrement la première phase de l'usine P4 de Pyeongtaek pour la production de NAND.

▲ Samsung Electronics Pyeongtaek Park Selon les plans précédents de Samsung Electronics, l'usine Pyeongtaek P4 deviendra un centre de production complet de semi-conducteurs. Elle comprend quatre étapes et peut fabriquer des produits logiques, NAND, DRAM et d'autres
P4. La première phase de l'usine est utilisée pour la production de NAND, la deuxième phase est destinée à la fonderie logique et les troisième et quatrième phases sont destinées à la fabrication de DRAM.
Cependant, en raison du nombre insuffisant de commandes de fonderies de plaquettes et de la demande croissante de produits de mémoire DRAM représentée par HBM, Samsung Electronics a ajusté son plan d'investissement dans l'usine Pyeongtaek P4 au premier semestre, en construisant d'abord une ligne de production de mémoire DRAM et retarder la construction de la ligne logique.
Samsung Electronics dispose actuellement d'une capacité de production de NAND de 10 000 plaquettes par mois dans la première phase de son usine Pyeongtaek P4. L'objectif était auparavant d'augmenter la production mensuelle de plaquettes à 45 000 plaquettes d'ici l'année prochaine.
Cependant, le V9 QLC NAND n'a pas reçu l'approbation de production de masse à temps, ce qui a amené certains initiés à croire qu'une partie de la zone de construction de la première phase devrait être utilisée pour la production de DRAM avec un avenir plus clair.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!