Les spécifications des mémoires DDR5 MRDIMM et LPDDR6 CAMM sont prêtes à être lancées, JEDEC publie des détails techniques clés

Ce site a rapporté le 23 juillet que l'organisme de normalisation en microélectronique JEDEC Solid State Technology Association a annoncé le 22, heure locale, que les spécifications techniques des mémoires DDR5 MRDIMM et LPDDR6 CAMM seront officiellement lancées prochainement, et a présenté les détails clés de ces deux mémoires.

Le « MR » dans DDR5 MRDIMM signifie Multiplexed Rank, ce qui signifie que la mémoire prend en charge deux ou plusieurs rangs et peut combiner et transmettre plusieurs signaux de données sur un seul canal. La bande passante peut être efficacement augmentée sans avoir besoin de connexions physiques supplémentaires.

JEDEC a prévu plusieurs générations de mémoire DDR5 MRDIMM, dans le but d'augmenter à terme sa bande passante à 12,8 Gbps, doublant ainsi les 6,4 Gbps actuels de mémoire DDR5 RDIMM.

Dans la vision de JEDEC, le DDR5 MRDIMM utilisera les mêmes conceptions de broches, SPD, PMIC, etc. que les DIMM DDR5 existants, sera compatible avec la plate-forme RDIMM et utilisera l'écosystème LRDIMM existant pour la conception et les tests.

De plus, JEDEC a également prévu le facteur de forme Tall MRDIMM. Comme son nom l'indique, la conception comportera un facteur de forme plus grand qui doublera le nombre de packages DRAM pris en charge, augmentant ainsi la capacité de mémoire.

▲Produits de mémoire Micron MRDIMM, la version Tall est à gauche

Quant au CAMM LPDDR6, JEDEC a déclaré qu'il devrait atteindre une vitesse maximale de plus de 14,4 GT/s, et mentionnera également un sous-marin de 24 bits de large. -channel, canal large 48 bits et prend en charge le « tableau de connecteurs » (remarque de ce site : le texte original est un tableau de connecteurs).

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!