Maison  >  Article  >  Périphériques technologiques  >  Le processus de production de masse de câbles métalliques V-NAND de 9e génération de Samsung utilise pour la première fois la technologie du molybdène.

Le processus de production de masse de câbles métalliques V-NAND de 9e génération de Samsung utilise pour la première fois la technologie du molybdène.

WBOY
WBOYoriginal
2024-07-03 17:39:551215parcourir

Ce site rapportait le 3 juillet que selon le média coréen The Elec, Samsung aurait tenté pour la première fois d'utiliser du molybdène (Mo) dans le "câblage métallique" de sa 9ème génération V-NAND.

三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

Note de ce site : Les huit processus majeurs du processus de fabrication des semi-conducteurs sont :
  1. Fabrication de plaquettes
  2. Oxydation
  3. Photolithographie
  4. Gravure
  5. Déposition
  6. Câblage métallique
  7. Tests
  8. Pack vieillissement

Métal Le processus de câblage utilise principalement différentes méthodes pour connecter des milliards de composants électroniques afin de former différents semi-conducteurs (CPU, GPU, etc.). On peut dire qu'il « injecte de la vie dans les semi-conducteurs ».

Des sources disentSamsung a introduit cinq machines de dépôt de Mo de Lam Research Company et prévoit d'introduire 20 équipements supplémentaires l'année prochaine.

En plus de Samsung Electronics, des sociétés telles que SK Hynix, Micron et Kioxia envisagent également d'utiliser le molybdène. Contrairement à l'hexafluorure de tungstène (WF6) utilisé dans le procédé NAND existant, le précurseur du molybdène (précurseur du molybdène) est solide et doit être sublimé directement à l'état gazeux à une température élevée de 600°C. Ce procédé nécessite un équipement de dépôt séparé.

Samsung a annoncé en mai de cette année avoir commencé la production en série du premier lot de mémoire flash V-NAND de neuvième génération, avec une densité de bits augmentée d'environ 50 % par rapport à la V-NAND de huitième génération.

Le V-NAND de neuvième génération est équipé de l'interface flash NAND de nouvelle génération « Toggle 5.1 », qui peut augmenter la vitesse d'entrée/sortie des données de 33 %, jusqu'à 3,2 gigabits par seconde (Gbps). En plus de cette nouvelle interface, Samsung prévoit également de consolider sa position sur le marché des SSD hautes performances en étendant le support du PCIe 5.0.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!

Déclaration:
Le contenu de cet article est volontairement contribué par les internautes et les droits d'auteur appartiennent à l'auteur original. Ce site n'assume aucune responsabilité légale correspondante. Si vous trouvez un contenu suspecté de plagiat ou de contrefaçon, veuillez contacter admin@php.cn