Des sources affirment que le rendement de la mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches de SK Hynix a atteint 56,1 %

Selon des informations publiées sur ce site Web le 24 juin, le média coréen BusinessKorea a rapporté que des initiés de l'industrie avaient révélé que SK Hynix avait publié le dernier document de recherche sur la technologie DRAM 3D lors du sommet VLSI 2024 qui s'est tenu à Hawaï, aux États-Unis, du 16 au 20 juin.

Dans cet article, SK Hynix rapporte que le rendement de sa mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches a atteint 56,1 %. La DRAM 3D de l'expérience présente des caractéristiques similaires à la DRAM 2D actuelle.

Selon les rapports, contrairement à la DRAM traditionnelle, qui dispose les cellules de mémoire horizontalement, la DRAM 3D empile verticalement les cellules pour obtenir une densité plus élevée dans le même espace.

Cependant, SK Hynix a souligné que contrairement au fonctionnement stable de la 2DDRAM, la 3DDRAM présente des caractéristiques de performances instables et nécessite l'empilement de 32 à 192 couches de cellules mémoire pour parvenir à une application universelle.

Ce site a remarqué que Samsung développe une DRAM 3D empilée à 16 couches et a annoncé lors du salon MemCon 2024 en mars de cette année qu'il prévoyait de commercialiser des produits DRAM 3D vers 2030.

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